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日前召開的ARM技術(shù)大會(huì)上，三星電子傳出消息，計(jì)劃大力推動(dòng)高-K介質(zhì)的32nm制程。 今年6月，韓國(guó)三星表示自己的代工廠已經(jīng)可以使用高-K/金屬柵極技術(shù)，滿足制造32nm低功耗制程的要求。三星即將成為首家符合高-k/金屬柵極技術(shù)的代工廠。 據(jù)三星半導(dǎo)體公司代工業(yè)務(wù)部設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)總裁Kuang-Kuo Lin透露，現(xiàn)在“制程和設(shè)計(jì)”都已就緒。他還表示，“就代工廠的高-k/金屬柵極而言，我們走在前列。” 三星也是IBM公司晶圓俱樂部的成員。據(jù)報(bào)道，該俱樂部在高-k技術(shù)研發(fā)方面正面臨困難。在簡(jiǎn)短采訪中，Lin否認(rèn)了這一報(bào)道，他說三星目前在高-k方面的努力“進(jìn)展不錯(cuò)”。 Lin說，實(shí)際上三星對(duì)該工藝制程“興趣很大”，代工客戶包括蘋果、高通和賽靈思。 路線圖的下一步是28nm制程。目前，Global Foundries和三星都將在2011年第一季度進(jìn)入“可量產(chǎn)”階段。 |
