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ST發(fā)布下一代高達100W的智能功率模塊,提升功能集成度、能效和靈活性

發(fā)布時間:2017-2-22 15:05    發(fā)布者:eechina
意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)擴大其SLLIMM nano系列電機驅(qū)動智能功率模塊(IPM)產(chǎn)品陣容。除了使得應用總體尺寸最小化和設計復雜性最低化的多種可選封裝外,新產(chǎn)品還集成更多的實用功能和更高能效的最新的500V MOSFET



新IPM模塊的額定輸出電流1A或2A,目標應用瞄準最高功率100W的電機驅(qū)動市場,例如冰箱壓縮機、洗衣機或洗碗機的電機、排水泵、循環(huán)水泵、風扇電機、以及硬開關電路內(nèi)工作頻率小于20kHz的電機驅(qū)動器。新產(chǎn)品最高工作溫度150°C,可工作在惡劣工作環(huán)境中。

模塊集成 一個三相MOSFET電橋和柵驅(qū)動器HVIC和實用功能,包括一個閑置運放和比較器,用于過流保護和電流測量功能。其它內(nèi)置安全功能包括互鎖功能,防止直通電流燒毀電橋MOSFET,還包括一個錯誤狀態(tài)輸出、關斷輸入和智能關斷功能。內(nèi)部可選熱敏電阻有助于簡化過熱保護電路。

除了齒形引腳封裝外,新系列還提供直插式封裝,讓設計人員更靈活地簡化電路板設計,在機電總成和其它空間受限的應用中最大限度縮減控制器尺寸。

這些封裝的優(yōu)異的散熱性能,結(jié)合意法半導體最新的500V MOSFET的優(yōu)異能效表現(xiàn),讓設計人員能夠更靈活地縮減散熱器尺寸,開發(fā)無散熱器的低功率電機驅(qū)動解決方案。在2A和1A兩款產(chǎn)品內(nèi),MOSFET導通電阻分別為3.6Ω和1.7Ω,低導通電阻配合低開關損耗,確保應用設計取得優(yōu)異的總體能效。MOSFET還另配備開路發(fā)射極至模塊引腳的連接線,這樣設計可簡化設計人員使用矢量控制(FOC)三路分流器或梯形波控制單路分流器。新模塊還集成高邊MOSFET柵極控制所需的自舉二極管,從而進一步減少對外部元器件的需求量。

STIPN1M50T-H、STIPN1M50-H、STIPN2M50T-H (L)和 STIPN2M50-H現(xiàn)已量產(chǎn)。

更多詳情請訪問 www.st.com/ipm

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