国产精品免费无遮挡无码永久视频-国产高潮视频在线观看-精品久久国产字幕高潮-国产精品99精品无码视亚

利用0至1V模擬乘法器實現(xiàn)電池供電系統(tǒng)的精確功率管理

發(fā)布時間:2010-10-17 11:28    發(fā)布者:techshare
負載功率測量的重要性

在筆記本電腦應(yīng)用中,負載功率的測量往往非常重要,此類應(yīng)用中,整個電路(負載)是由鋰離子(Li+)電池供電或由同時向電池充電的交流適配器供電。因為每個電源的輸出電壓不同,負載電流也不同。通常情況下,交流適配器輸出16V,而電池包由3節(jié)Li離子電池組成,充滿電時電壓約12.6V,完全放電時約為9V。

要精確管理電路中的功率,僅僅測量負載電流是不夠的,因為那樣無法給出正在使用哪種類型的電壓源的信息。此外,有些便攜式應(yīng)用中的微控制器所能提供的引腳有限,所以需要直接測量功率,而不是分別測量電壓和電流,然后在固件中相乘。

用MAX4210D/E/F構(gòu)建0至1V模擬乘法器

MAX4210D/MAX4210E/MAX4210F為高邊電流和功率監(jiān)測器,具有內(nèi)部真模擬乘法器。這些器件可以直接將電池電流和0到1V的輸入電壓相乘。但如果需要簡單的將兩個0到1V的信號相乘,輸入共模電壓門限(4.5V最小)將使電路無法工作。

圖1顯示了利用MAX4210D/E/F與一個MAX4477運放和n溝道MOSFET構(gòu)建0到1V模擬乘法器的電路。該電路可以將最高1V的2個獨立輸入電壓相乘。



圖1: 采用MAX4210D/E/F和MAX4477構(gòu)建通用的1V模擬乘法器。

本應(yīng)用筆記以MAX4210E為例;MAX4210D和MAX4210F也可以用于構(gòu)建通用模擬乘法器。

在圖1電路中,輸入電壓V1通過運放、MOSFET和R1電阻轉(zhuǎn)換成電流;R2電阻再將其轉(zhuǎn)換至較小的電壓。這個小電壓連接至MAX4210E的差分輸入。MAX4210E允許的最大輸入檢測電壓為150mV。據(jù)此,選擇R1和R2值:R1 = 1kΩ 和R2 = 150Ω 。整個電路的電源VCC為5V;MAX4210E具有25V/V的增益。因此,滿幅輸出電壓為3.75V。

電路中應(yīng)選擇輸入共模電壓范圍包含地、而且精度應(yīng)該優(yōu)于MAX4210E的運算放大器。25°C時,MAX4210E的總輸出誤差小于滿量程輸出(FSO)范圍的±1.5%。MAX4477具有pA級的超小偏置電流,輸入電壓偏置小于350μV,CMRR至少90dB;因此,所引入的誤差相比于MAX4210E可以忽略。

圖2顯示了第一組測量結(jié)果,輸入V2為0.9V,輸入V1從0至1V范圍內(nèi)以100mV遞增。



圖2: VOUT與V1的關(guān)系,V2 = 0.9V。

計算增益誤差為0.8%,總輸出誤差為FSO的0.6%。增益誤差等于:測量的曲線斜率和理想曲線斜率之間的差與理想曲線斜率的比值,以百分比表示。每個斜率由假設(shè)為線性的2個端點測量值得到?傒敵稣`差為測量值和理想曲線的最大差值與3.75V的FSO比值,以百分比表示。

圖3顯示了另一組測量值,輸入V1為0.9V,輸入V2在0到1V之間以100mV遞增。計算增益誤差為0.81%,總輸出誤差為FSO的0.58%。



圖3: VOUT與V2的關(guān)系,V1 = 0.9V。

兩組測量中,增益誤差和總輸出誤差均在MAX4210的參數(shù)范圍內(nèi)。

結(jié)論

為實現(xiàn)精確的功率管理,一些應(yīng)用需要進行負載功率檢測,而不僅僅是負載電流檢測。MAX4210D/E/F能同時檢測負載電流和電源電壓,理想用于由電池或交流適配器供電的應(yīng)用中。應(yīng)用筆記中提供了采用MAX4210D/E/F構(gòu)建通用模擬乘法器,能夠?qū)陕?至1V的信號相乘,實現(xiàn)精確的功率管理。
本文地址:http://www.4huy16.com/thread-32835-1-1.html     【打印本頁】

本站部分文章為轉(zhuǎn)載或網(wǎng)友發(fā)布,目的在于傳遞和分享信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責(zé);文章版權(quán)歸原作者及原出處所有,如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題,我們將根據(jù)著作權(quán)人的要求,第一時間更正或刪除。
您需要登錄后才可以發(fā)表評論 登錄 | 立即注冊

廠商推薦

  • Microchip視頻專區(qū)
  • Microchip第22屆中國技術(shù)精英年會上海首站開幕
  • Microchip第22屆中國技術(shù)精英年會——采訪篇
  • 常見深度學(xué)習(xí)模型介紹及應(yīng)用培訓(xùn)教程
  • 技術(shù)熱潮席卷三城,2025 Microchip中國技術(shù)精英年會圓滿收官!
  • 貿(mào)澤電子(Mouser)專區(qū)

相關(guān)在線工具

相關(guān)視頻

關(guān)于我們  -  服務(wù)條款  -  使用指南  -  站點地圖  -  友情鏈接  -  聯(lián)系我們
電子工程網(wǎng) © 版權(quán)所有   京ICP備16069177號 | 京公網(wǎng)安備11010502021702
快速回復(fù) 返回頂部 返回列表