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晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其他功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流。晶體管主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（FET）。 晶體管有三個極，雙極性晶體管的三個極分別是發(fā)射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）。NPN晶體管是晶體管的一種.。 晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)晶體管的基極電流發(fā)生變化時，其集電極電流將發(fā)生更大的變化或在晶體管具備了工作條件后，若從基極加入一個較小的信號，則其集電極將會輸出一個較大的信號。下面來簡單地說明. 發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),而集電區(qū)與基區(qū)形成的PN結(jié)稱為集電結(jié),三條引線分別稱為發(fā)射極e、基極b和集電極c。 對于NPN晶體管,當(dāng)基極b點(diǎn)電位高于發(fā)射極e點(diǎn)電位零點(diǎn)幾伏時，發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài)，而集電極C點(diǎn)電位高于b點(diǎn)電位幾伏時，集電結(jié)處于反偏狀態(tài)，集電極電源Ec要高于基極電源Ebo。 在制造三極管時，有意識地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的，同時基區(qū)做得很薄，而且，要嚴(yán)格控制雜質(zhì)含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子（電子）和極基區(qū)的多數(shù)載流子（空穴）很容易地越過發(fā)射結(jié)構(gòu)互相向反方各擴(kuò)散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發(fā)射結(jié)的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發(fā)射極電流Ie。 由于基區(qū)很薄,加上集電結(jié)的反偏，注入基區(qū)的電子大部分越過集電結(jié)進(jìn)入集電區(qū)而形成集電極電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區(qū)的空穴進(jìn)行復(fù)合，被復(fù)合掉的基區(qū)空穴由基極電源Eb重新補(bǔ)給，從而形成了基極電流Ibo根據(jù)電流連續(xù)性原理得：Ie=Ib+Ic 這就是說，在基極補(bǔ)充一個很小的Ib，就可以在集電極上得到一個較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持一定的比例關(guān)系，即：βdc=Ic/Ib 式中：βdc稱為直流放大倍數(shù)， 集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為： β=△Ic/△Ib 式中β--稱為交流電流放大倍數(shù)，由于低頻時βdc和β的數(shù)值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴(yán)格區(qū)分，β值約為幾十至一百多。 三極管是一種電流放大器件，但在實(shí)際使用中常常利用三極管的電流放大作用，通過電阻轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔谩?/font> 【正芯網(wǎng)--現(xiàn)貨IC采購平臺】 |
