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以高速運(yùn)算改善網(wǎng)絡(luò)裝置效能的非揮發(fā)性內(nèi)存 富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，成功開發(fā)具有4 Mbit記憶容量的、帶有高速Q(mào)SPI接口的全新FRAM（鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存）產(chǎn)品MB85RQ4ML，此產(chǎn)品在同類競(jìng)品中擁有最高密度和最快傳輸速度，并開始以樣品量供貨。由于其兼顧高速傳輸和FRAM的特性，因此特別適用于網(wǎng)絡(luò)建置、RAID控制器及工業(yè)運(yùn)算等領(lǐng)域。 為滿足市場(chǎng)對(duì)FRAM接口速度提升的迫切需求，富士通目前已成功開發(fā)MB85RQ4ML 4Mbit FRAM，在FRAM產(chǎn)品線中擁有最高數(shù)據(jù)傳輸速度（圖一）。 
圖一：采用16針腳SOP的MB85RQ4ML 此產(chǎn)品采用單一1.8V電源供應(yīng)器QSPI接口，能以108 MHz運(yùn)作頻率達(dá)到每秒54 MB的數(shù)據(jù)傳輸速度。富士通以往的產(chǎn)品中，采用44針TSOP封裝且擁有16-bit并行接口的4Mbit FRAM傳輸速度最快，為每秒13 MB。而此全新產(chǎn)品的數(shù)據(jù)讀寫速度領(lǐng)先前者將近四倍之高，且所用引腳數(shù)更少（圖三）。
圖二：數(shù)據(jù)傳輸率比較 其定位介于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存用的高容量非揮發(fā)性內(nèi)存與高速作業(yè)內(nèi)存之間，并以高速存取及數(shù)據(jù)備份支持?jǐn)?shù)據(jù)寫入，例如必須持續(xù)寫入設(shè)定數(shù)據(jù)的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，像路由器等（圖三）。
圖三：內(nèi)存于網(wǎng)絡(luò)裝置的使用案例 仰賴海量數(shù)據(jù)處理能力的物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)，隨著數(shù)據(jù)處理量不斷增加，內(nèi)存亦必須頻繁地執(zhí)行數(shù)據(jù)改寫；此外，從安全觀點(diǎn)來(lái)看，保留存取記錄也將更受到重視。有鑒于此，此產(chǎn)品能透過(guò)保留網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域中存取信息而促進(jìn)設(shè)備效能的改善。因此，富士通充分運(yùn)用FRAM的非揮發(fā)性、高速讀寫周期、高讀寫耐用度及低功耗特性，為穿戴式市場(chǎng)及物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)帶來(lái)使用FRAM的解決方案，為客戶帶來(lái)更具價(jià)值且更加便利的應(yīng)用。 產(chǎn)品規(guī)格 組件料號(hào)：MB85RQ4ML 內(nèi)存密度（組態(tài)）：4Mbit（512K字符x 8位） 界面：SPI/Quad SPI 運(yùn)作電壓：1.7 – 1.95伏特 保證讀/寫周期：10兆次 數(shù)據(jù)保留：10年（85度時(shí)） |
