砷化鎵集成電路市場2015年增長率超過25%
砷化鎵集成電路市場2015年增長率超過25%；
[據C4ISR網站2015年12月23日報道] 盡管存在硅的競爭，但無線通信的需求將繼續推動砷化鎵市場發展。
據美國市場研究和咨詢公司——信息網絡公司稱，強大的無線通信需求使砷化鎵集成電路市場2015年增長率超過25%。
每個手機都包含基于砷化鎵異質結雙極晶體管（HBT）技術的功率放大器（PA）。一個2G手機包含一個PA，而一個3G手機通常含有多達五個PA。蘋果 的4G智能手機6S包含六個PA：Avago的ACPM-7600和ACPM-8010，高通的QFE2320和QFE2340，和Skyworks的 sky85303和sky85707。
該公司的“砷化鎵集成電路市場”報告稱，雖然GaAs PA逐漸被硅基CMOS產品替代，繼續失去市場份額，但在可預見的未來，仍將在RF技術領域占主導地位。
PA的定價已經從每個2G手機0.30美元提高到每個3G手機1.25美元，全球長期演進（LTE）技術中的PA為3.25美元。（工業和信息化部電子科學技術情報研究所 張慧） |
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