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簡介：這里的問題是這樣的，一個控制口給三個PNP的管子的基極供電，失效的時候是一個管子不能進(jìn)入飽和區(qū)，由于每個管子的VBE和HFE的初始值不相同，且隨著溫度變化相差更大，由此引發(fā)的問題是三個管子不能正確的偏置，VBE比較低的管子的偏置電阻的電流最大，其余的兩個管子的偏置電流就顯得小。 Ib如果太小了，假定Ic一定的話 否中情況出現(xiàn)H=Ic/Ib，在溫度低的情況下，很容進(jìn)入放大區(qū)，導(dǎo)致Vce太大，邏輯就可能會出現(xiàn)問題。 因此即使一個NPN可以用來偏置幾個PNP的管子，每個管子要有獨(dú)立的基極電阻，這樣可實(shí)現(xiàn)存在Vbe差別的情況下，通過電阻實(shí)現(xiàn)一定的均流，確保電流的獨(dú)立。 即使控制端也不能隨便將多個管子連在一起，這點(diǎn)是我們要注意的。 注意模塊間接口使用的問題 如果設(shè)計的時候，使用了ULN2003，由于直接用它的輸入級接入模塊的輸入端，因此出現(xiàn)了問題。 由于電纜上存在分布電感和分布電容，因此很容易出現(xiàn)耦合，在ISO7637的實(shí)驗(yàn)中，存在高頻脈沖250V，200ns 我們必須加入限流電阻，并且與RB和分壓，或者加入其他抗瞬態(tài)的器件，這樣的設(shè)計是非常耗成本的，因此一般可以采用分立的器件。 最好不用用晶體管的基極直接面對輸入，這回造成很大的隱患。 另外一個錯誤很常見，就是直接把晶體管的基極接至MCU的輸出管腳上面，前面已經(jīng)驗(yàn)算過MCU的輸出能力：單片機(jī)IO口的驅(qū)動能力 這很明顯的造成了晶體管Ib過大，引起過大的損耗。 因此如果遇到分立的晶體管，注意驗(yàn)證它的基極，是否直接接MCU，是否內(nèi)部含有限流電阻(Build-in)，否則很可能造成過熱和損壞。 這里順便說明一下，三極管由于有熱擊穿效應(yīng)，所以建議把余量放大些，60%～75%，否則很有可能造成損壞。 |
