在移動通信、汽車電子等領(lǐng)域占據(jù)全球最高市場份額的頂尖半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商瑞薩電子（Renesas）日前推出了其第七代具有業(yè)界領(lǐng)先性能的650V，150A IGBT產(chǎn)品RJP65S07DWA。受益于第七代技術(shù)增強型的薄化晶圓工藝，RJP65S07DWA在傳導(dǎo)、開關(guān)損耗以及耐受能力之間達到了低損耗平衡，以承受短路情況的發(fā)生。因此該產(chǎn)品十分適合高電壓和大電流的應(yīng)用，如太陽能發(fā)電機和工業(yè)電機里的功率調(diào)節(jié)器。此外，該產(chǎn)品可根據(jù)用戶需求進行個性化定制。
圖：RJP6系列IGBT 1.5V的飽和電壓帶來更高的效率 相較于上一代產(chǎn)品1.8V的飽和電壓，Renesas基于獨有的超薄晶圓技術(shù)使RJP65S07DWA的飽和電壓降至史無前例的1.5V，降幅約17%。飽和電壓反映了IGBT導(dǎo)通時的能量損耗，進一步降低的飽和電壓將器件效率提升至新的高度。 10微秒的高短路耐受力提供無與倫比的可靠性 對于高電壓大電流的設(shè)備，器件保護往往是重重之中，Renesas第七代IGBT系列產(chǎn)品RJP65S07DW具有10 μs的額定短路耐受力, 這意味著用于太陽能逆變器的功率調(diào)節(jié)器等系統(tǒng)會具有更出色的穩(wěn)定性和強勁的性能。 高速開關(guān) 通過優(yōu)化器件的表面結(jié)構(gòu)，Renesas將器件的反向傳輸電容降低了大約10%。這有助于實現(xiàn)更快的開關(guān)頻率，使的更高效的電源轉(zhuǎn)換器電路成為可能。 RJP65S07DWA的關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)如下： • 額定結(jié)溫(Tj): +175°C • 集電極-發(fā)射極額定電壓(VCES): 650 V • 額定的柵極發(fā)射器電壓(VGES): ±30 V • 集電極-發(fā)射極飽合電壓 (VCE(sat)): 1.5 V (典型值) • 集電極-發(fā)射極閾值電壓 (VGE(OFF)): 5.0 V至6.8 V • 集電極-發(fā)射極額定電流: 150 A (Tc = 100°C) 300 A (Tc = 25°C) 1.5V的飽和電壓，10微秒的高短路耐受力以及高速開關(guān)讓瑞薩的這款I(lǐng)GBT產(chǎn)品可以更好的幫助研發(fā)工程師開發(fā)他們的產(chǎn)品，特別的定制服務(wù)還能根據(jù)客戶的需求提供最適合的產(chǎn)品。如果你想獲取更多的產(chǎn)品信息或申請樣片請聯(lián)系世強。 更多信息請訪問：世強(SEKORM)專區(qū) |
