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CY7C1041G和CY7C1041GE是由Cypress推出的帶嵌入式ECC（糾錯碼）的高性能CMOS快速靜態RAM器件。這兩種器件均支持單、雙芯片使能選項，以及多種引腳配置。CY7C1041GE器件具有一個ERR引腳，用于通知讀周期中的錯誤檢測和糾正事件。通過將芯片使能（CE）、寫入使能輸入（WE）設置為低電平，并分別在器件數據引腳（I/O0 至I/O15）、地址引腳（A0 到A17）提供數據及地址，即可執行數據寫入操作。 據世強市場經理吳大忠介紹，該產品通過控制字節高電平使能（BHE）和字節低電平使能（BLE）的輸入，來進行高字節、低字節寫入指定存儲器位置的操作。BHE 控制I/O8 至I/O15腳；BLE控制I/O0 至I/O7腳。通過設置芯片使能（CE）及輸出使能（OE）輸入為低電平，并提供地址上行所需的地址，便能執行讀取操作，在I/O 線上（I/O0 至I/O15）讀取數據。通過設置所需的字節使能信號（BHE或BLE），可以執行字節訪問，即讀取指定地址上高字節或低字節數據。 CY7C1041G/CY7C1041GE的特性： -高速：tAA = 10 ns -用于單比特錯誤糾正的嵌入式糾錯碼（ECC） -活動模式和待機模式只需低電流 有效電流ICC = 38 mA （典型值） 待機電流ISB2 = 6 mA （典型值） -工作電壓范圍：1.65 V至2.2 V，2.2 V至3.6 V，4.5 V至5.5 V -1.0 V 數據保持 -TTL — 各兼容輸入與輸出 -錯誤指示（ERR）引腳用于表示單位錯誤的檢測及糾正 -無鉛44引腳SOJ、44引腳TSOP II和48球形焊盤VFBGA封裝 更多信息請訪問：世強(SEKORM)專區 |
