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Fairchild將在PCIM Asia上介紹如何通過打破硅“理論上”的限制來將IGBT 開關損耗降低30% Fairchild大幅降低其第四代650V和1200V IGBT損耗，降幅達30%。Fairchild采用工業和汽車市場中專為高/中速開關應用設計的新方案，提供了行業領先的性能水平，同時具有極強的閂鎖效應，確保了優異牢固性和可靠性。Fairchild將在2015 亞洲PCIM中演示各種應用的測試結果和方案。 
高級IHS分析師Victoria Fodale說道：“制造商對于更先進技術的IGBT非常感興趣，因為哪怕是IGBT開關損耗的微小下降也可幫助制造商提高產品效率。最大限度降低功率損耗必然是各種應用領域達到最高效率的關鍵因素，包括電動汽車、太陽能系統、高效HVAC應用以及工業變頻器。” Fairchild采用先進的高密度孔距、自平衡晶胞結構以及新的自對齊接觸技術，在整個工作溫度范圍-40º C至175º C之間達到超高電流密度和卓越的動態開關性能。新設計使第四代IGBT具備極低的飽和電壓(Vce(sat) = ~ 1.65V)和低開關損耗(Eoff = 5µJ/A)的權衡特性，幫助客戶提高系統效率。Fairchild還與新一代產品一同提供了功能強大的設計和仿真基礎結構套件，并針對所有低/高電壓功率器件進行了校準。 Fairchild的Thomas Neyer說：“Fairchild的新方案包括通過超細單元柵距設計實現的超高電子注入效率以及受新緩沖器結構限制的空穴載流子的注入。這些優勢顯著提高性能，我們的IGBT讓Fairchild 能夠為制造商提供新的高效大功率控制解決方案。” |
