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SKAI模塊:先進(jìn)的集成電氣驅(qū)動系統(tǒng)

發(fā)布時間:2010-7-10 15:16    發(fā)布者:zealot
SKAI模塊(賽米控先進(jìn)技術(shù)集成)是實現(xiàn)電源由直流到三相交流轉(zhuǎn)換的逆變系統(tǒng),它包含了為提供所需質(zhì)量與數(shù)量的電能負(fù)載所必須的所有元件。這些SKAI驅(qū)動系統(tǒng)核心目標(biāo)是在汽車上的應(yīng)用,其覆蓋的直流電壓范圍為42V~900V,功率等級從15kW~250kW。SKAI驅(qū)動系統(tǒng)主要的功能如下:三相逆變裝置中的功率半導(dǎo)體開關(guān)、與存儲電容的直流鏈接、電流傳感器/溫度傳感器/電壓傳感器、開關(guān)器件的門極驅(qū)動、控制器、總線接口、電子器件以及冷卻系統(tǒng)的電源。
  
集成技術(shù)
  
賽米控的SKAI驅(qū)動系統(tǒng)集成了將電能從直流轉(zhuǎn)換為三相交流調(diào)速驅(qū)動器所需電流與頻率的所有硬件功能。圖1給出了該系統(tǒng)的方框圖。


圖1,SKAI驅(qū)動系統(tǒng)集成了將電能從直流轉(zhuǎn)換為三相交流調(diào)速驅(qū)動器所需電流與頻率的所有硬件功能。

SKAI系統(tǒng)的封裝設(shè)計以SKiiP技術(shù)為基礎(chǔ),因為這種技術(shù)具有長期的高可靠性。SKiiP技術(shù)使用壓接代替大面積的焊接,消除了焊點的疲勞損壞和性能惡化。而多元壓接也能保證低熱阻和電阻

圖2,Skiip技術(shù)使用壓接代替大面積的焊接,消除了焊點的疲勞損壞和性能惡化。而多元壓接也能保證低熱阻和電阻。

為了將這種封裝設(shè)計的寄生電感降低到nH級的水平,還設(shè)計了特殊的直流環(huán)節(jié)布局以及DBC基片的多元聯(lián)接技術(shù)。


圖3,并聯(lián)續(xù)流二極管的絕緣基片的低電感的接觸原理

圖3示出了帶有IGBT和續(xù)流二極管(FWD)的高壓SKAI模塊結(jié)構(gòu)原理。頂層和底層開關(guān)單板上的IGBT和續(xù)流二極管被放置在一塊基片上,開關(guān)器件和續(xù)流二極管之間的距離很短,這種結(jié)構(gòu)設(shè)計的另一個優(yōu)點就是在并聯(lián)的功率開關(guān)器件之間形成均勻的電流分布。
  
低壓SKAI模塊實現(xiàn)了寄生電感的最小化:MOSFET半橋的寄生電感小于1nH,加上直流環(huán)節(jié)電感(1nH)和電容電感(2nH),整個模塊電感小于4nH。從而在這種系統(tǒng)上可以實現(xiàn)很高的開關(guān)頻率和降低電壓過沖。即使在額定電流關(guān)斷的情況下,電壓尖峰也只有15V。
  
驅(qū)動、保護(hù)和控制電路
  
三相逆變器所需的所有電氣功能如驅(qū)動、保護(hù)和控制全部集成在系統(tǒng)的一塊印制電路板(PCB)上。該PCB上布置了控制器(數(shù)字信號處理器TMS320LF2406/2407 )、隔離的門極驅(qū)動和保護(hù)電路,以及為這些電子電路供電的電源。串口總線(CAN 總線)是控制器到外部的通信接口。該PCB安裝在模塊里并放置于開關(guān)電源上部。到基片的內(nèi)部電氣連接是通過短的彈簧壓接實現(xiàn)的,PCB和DBC基片之間連接也是采用這種方式。
  
SKAI模塊內(nèi)部集成了過流保護(hù)、過溫保護(hù)、直流母線過壓保護(hù)以及輸入欠壓保護(hù)。
  
先進(jìn)的驅(qū)動系統(tǒng)的例子
  
SKAI模塊不同型號的產(chǎn)品系列覆蓋了從42V~900V的直流電壓范圍。
  
A.采用MOSFET開關(guān)器件的低電壓系統(tǒng)
  
這類系統(tǒng)是為電池驅(qū)動汽車或輕型混合動力汽車設(shè)計的,這類設(shè)備負(fù)載電流有效值在300A~700A的范圍內(nèi),主要取決于電池電壓和冷卻條件。根據(jù)電池電壓的不同,SKAI分別選用阻斷電壓為75V、100V或150V的最好的溝道MOSFET器件。將封裝相關(guān)的阻抗計算在內(nèi),MOSFET開關(guān)器件的通態(tài)阻抗分別是:75V的為0.86 mΩ、100V的為1.14 mΩ、150V的為2.09 mΩ。


圖4,以di/dt = -7100 A/ms的速率關(guān)斷。負(fù)載電流為700A的器件的測試數(shù)據(jù)圖

圖4是MOSFET一個管腳的寄生電感的測試結(jié)果。測試時所施加的電流坡度為7100 A/μs,測到的峰值電壓ΔV 為 5.89 V,根據(jù)ΔV = L ·di/dt的關(guān)系式,可以得到L = 0.83 nH,這與仿真的結(jié)果0.9 nH相當(dāng)吻合。
  
此系列模塊標(biāo)配散熱器為槽形散熱片的水冷系統(tǒng)(50%水,50%甘醇)。其橢圓形的橫截面散熱性能更好,并能減少積灰污物。
  
帶MOSFET開關(guān)器件的低壓SKAI模塊的尺寸為315mm x 115mm x 95mm,重3kg。表1列出了該低壓SKAI模塊的技術(shù)數(shù)據(jù)。


表1,低壓SKAI模塊的技術(shù)數(shù)據(jù)

B.采用IGBT為開關(guān)器件的高壓系統(tǒng)
  
采用帶載流子軸向壽命控制技術(shù)的600V和1200V IGBT和續(xù)流二極管做開關(guān)器件的SKAI模塊,定位于完全混合動力汽車、燃料電池汽車以及工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用。600V和1200V型號的SKAI模塊技術(shù)數(shù)據(jù)參見表2。


表2,高壓SKAI模塊技術(shù)數(shù)據(jù)

由于金屬箔電容較高的紋波電流能力以及高溫時較長的壽命,因此采用它作為直流存儲電容。250 kW的模塊體積僅為8.6L,設(shè)計非常緊湊。
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