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CMOS圖像傳感器技術提高用于移動和消費應用的未來安森美半導體傳感器的功率、性能和尺寸效益 安森美半導體(ON Semiconductor) 成功鑒定性能并展示首款功能全面的層疊式CMOS圖像傳感器。相比傳統的單片非層疊式設計，這傳感器的裸片占用空間更少、像素表現更高及功耗更佳。這技術已成功實現及性能被鑒定于1.1微米(µm)像素的測試芯片，并將于本年稍以產品形式推出。 傳統采用單片基板工藝的傳感器設計需要單獨的裸片區以支持像素陣列和輔助電路。有了3D層疊技術，像素陣列和輔助電路可放在不同基板上分開制作，然后通過硅穿孔技術(TSV)堆疊連接。這樣，像素陣列就能覆蓋基本電路，實現更有效率的裸片分布。這種方法讓設計工程師能夠優化傳感器的各個部分，如成像性能、成本、功率和裸片尺寸。像素陣列的優化能提高傳感器的像素性能，降低噪聲水平及增強像素反應。下層電路也可以使用更嚴格的設計規則來降低功耗。更少的總占板空間支持現今先進的相機模組，這些模組整合了光學圖像穩定(OIS)和附加數據存儲功能于同一個占用空間。 安森美半導體圖像傳感器部技術副總裁Sandor Bama表示：“3D層疊技術是令人興奮的突破，它提高了我們在優化安森美半導體未來傳感器的能力。這技術帶來制造和設計的靈活性，確保我們整個傳感器系列維持性能領先的地位。” |
