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單芯片F(xiàn)RAM存儲(chǔ)解決方案成為嵌入式設(shè)計(jì)的理想選擇

發(fā)布時(shí)間:2014-12-24 11:34    發(fā)布者:designapp

        選用存儲(chǔ)器時(shí)主要考慮的指標(biāo)包括安全性、使用壽命、讀寫(xiě)速度、產(chǎn)品功耗和存儲(chǔ)容量等。FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)由于具有ROM的非易失性和RAM的隨機(jī)存取特性,以及高速讀寫(xiě)/高讀寫(xiě)耐久性(高達(dá)1014次)和抗輻射特性,非常適合許多工業(yè)類(lèi)和醫(yī)療類(lèi)應(yīng)用。
在前不久的工業(yè)計(jì)算機(jī)與嵌入式系統(tǒng)展上,富士通半導(dǎo)體公司(Fujitsu)市場(chǎng)部高級(jí)產(chǎn)品工程師伍宏杰告訴記者,F(xiàn)RAM是嵌入式領(lǐng)域一個(gè)比較有優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品,對(duì)設(shè)計(jì)有幫助,很多工程師都有興趣使用這樣一款存儲(chǔ)器。
FRAM使得設(shè)計(jì)產(chǎn)品無(wú)需配備后備電池和掉電保護(hù)電路。單芯片F(xiàn)RAM解決方案能夠使產(chǎn)品體積做得更小,減少維護(hù)和保養(yǎng)成本,滿(mǎn)足環(huán)保、低功耗等要求。其高速讀寫(xiě)/高讀寫(xiě)耐久性能夠滿(mǎn)足對(duì)患者信息數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)頻繁記錄的要求。其抗輻射性則非常適用于需要對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行射線(xiàn)消毒的領(lǐng)域。這些優(yōu)點(diǎn)都非常適合便攜式醫(yī)療器械應(yīng)用。
對(duì)于一些工業(yè)和通信類(lèi)應(yīng)用,工程師往往會(huì)選用SRAM加EEPROM及電容的存儲(chǔ)方案,靠電容維持SRAM運(yùn)作,然后將SRAM的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到EEPROM中。這樣,相對(duì)單一的鐵電存儲(chǔ)器方案,系統(tǒng)的復(fù)雜度增加了很多,而且這也存在一定的風(fēng)險(xiǎn)。選用SRAM加電池來(lái)存儲(chǔ),同樣沒(méi)有多少優(yōu)勢(shì),而且電池也存在一定使用壽命;在野外等工作環(huán)境比較惡劣的情況下,電池還有可能會(huì)腐爛。而鐵電存儲(chǔ)器只要一顆就可以解決,并且可以減少不必要的風(fēng)險(xiǎn)。
在醫(yī)療領(lǐng)域,F(xiàn)RAM的最大優(yōu)點(diǎn)在于它的抗輻射性。而對(duì)于工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用(比如電表和流量計(jì)應(yīng)用),它們對(duì)數(shù)據(jù)的記錄非常頻繁(ms級(jí)),F(xiàn)RAM的優(yōu)點(diǎn)在于高耐久性。對(duì)于汽車(chē)應(yīng)用,考慮到駕車(chē)的安全性,在停車(chē)前的15s或30s需要將汽車(chē)的行駛狀況記錄下來(lái)。如果存儲(chǔ)器存儲(chǔ)速度不夠快,最后的關(guān)鍵數(shù)據(jù)可能丟失。鐵電存儲(chǔ)器能夠很好地滿(mǎn)足這類(lèi)應(yīng)用。
最后,伍宏杰表示,對(duì)于產(chǎn)品性能參數(shù)方面(包括讀寫(xiě)速度、功耗等),該公司的FRAM都能基本達(dá)到客戶(hù)要求。同時(shí),富士通的FRAM今后會(huì)越做越寬(不同的電壓和接口類(lèi)型等),并推出更多大容量的產(chǎn)品。很多工程師在設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)需要用到很大容量的存儲(chǔ)器,但是如果FRAM容量太大導(dǎo)致成本無(wú)法接受的話(huà),有一種解決方法是采用小容量的FRAM存儲(chǔ)關(guān)鍵數(shù)據(jù),將不太重要的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到FLASH或EEPROM中,這樣既解決了成本問(wèn)題,安全性又能得到保障。



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