意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出先進的單通道柵驅動器 (single-channel gate driver) 芯片STGAP1S。新產品在同一芯片上集成電隔離層 (galvanic isolation) 和模擬及邏輯電路 (analog and logic circuitry)，有助于設計人員簡化驅動器設計，同時確保產品具有優異的抗噪性能 (noise immunity)，實現安全可靠的功率控制效果。
STGAP1S是意法半導體新一代gapDRIVE™柵驅動器的首款產品。新產品整合意法半導體獨有的雙極-CMOS-DMOS (BCD) 制造工藝以及在芯片上植入隔離層的創新技術，可進一步提高系統集成度。高壓軌上可耐受最高達1500V電壓，而不會干擾其它電路；高可靠性使其適用于工業驅動器、大功率600V或1200V逆變器、太陽能逆變器以及不間斷電源 (uninterruptible power supplies) 。 100ns電隔離層信號傳播延時，使STGAP1S能夠傳輸高精度的PWM信號。新產品集成驅動級的灌入或源出電流最高達5A；軌對軌輸出支持負驅動電壓，可與大型絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistors) 或寬帶隙 (wide-bandgap) 電源開關（例如碳化硅MOSFET）配套使用。新產品具有優異的共模瞬變免疫能力 (common-mode transient immunity)，可耐受超過±50V/ns的共模瞬變電壓，支持跨電隔離層通信和安全的工作環境。灌入與源出輸出分開式設計可提高設計的靈活性，有助于減少外部元器件的使用。 新產品可通過內置的工業標準接口SPI端口與主控制器通信，內部控制邏輯可實時監控工作狀態。STGAP1S通過這個接口向主控制器提供豐富的診斷信息，進一步提升系統保護性能和工作可靠性。 新智能驅動器還集成大量的保護功能，幫助芯片最大限度提升在惡劣工業環境中的工作可靠性。這些保護功能包括防止無用的晶體管導通的功率級有源米勒箝位 (active Miller clamp)；在短路條件下保護開關的去飽和檢測 (desaturation detection)；可防止有危害性的電壓過沖的集電極-發射極的過壓保護 (collector-emitter overvoltage protection) 及輸出雙電平關斷功能；過熱保護 (over-temperature protection)、欠壓保護 (UVLO, Under-Voltage Lockout) 和過壓保護 (OVLO, Over-Voltage Lockout) 以及過流(over-current) 檢測專用引腳。 STGAP1S是一款具有完美集成度且尺寸精巧的SO24W芯片。 欲了解更多詳情，請訪問：www.st.com/gapdrive-nb |
