意法半導體積極開發與航天應用相關的抗輻射產品組合，推出兩款并聯式基準電壓芯片(shunt Voltage References)。RHF1009A是一款可在2.5V至5.5V范圍內調整電壓的基準電壓芯片；而RHF100則是一款維持1.2V固定電壓的基準電壓解決方案。這兩款基準電壓芯片特別為航天應用領域設計，具有可抵抗強烈太空輻射的高耐受度，引腳與市面上的同類工業標準的產品相容。兩款產品均已通過了美國航天局 (DLA) 的 QML-V 認證，并因其穩定優秀的性能，被正式收入歐洲航天元器件優選目錄 (EPPL, European Preferred Parts List) ，可供歐洲航天硬件及相關設備廠商選購。
兩款器件都采用意法半導體的250nm BiCMOS 制造技術，此項技術的高可靠性經過多年量產的消費性電子芯片和要求更嚴格的航天、汽車和醫療設備芯片以及其他抗輻射產品（如模數轉換器）的檢驗。 這兩款器件具有多項優異性能，包括僅5 ppm （典型值）的溫度系數，經由激光校對可達 +/- 0.15% 的精確度，以及器件之間卓越的溫度曲線匹配性；而寬達40µA至12mA的陰極電流范圍，可確保在維持靈活性的同時保證精確度和穩定性。 除優異的電氣性能外，兩款新產品還兼具同級最佳的抗電離總劑量 (TID, Total Ionization Dose) 和單粒子效應 (SEE, Single Event Effect) 的抗輻射性能，無ELDRS 效應高達 300krad （在劑量率達到很高水平時，芯片的主要參數仍可保持穩定），完全不受單粒子閉鎖效應 (Latch-up) 的影響 (在120 MeV.cm2/mg / 125°C下仍不發生單粒子閉鎖效應)，發生單粒子瞬變效應的概率極低 (截面SET Cross section < 3.10-4) 。輻射效應持續時間極短，且幅度很低。 新產品在歐洲設計、并在取得認證后開始制造，配有大量的定性數據、全套宏單元 (Pspice, Eldo, ADS) 和演示板。 詳情請訪問: www.st.com/radhard-vref-nb |
