東芝推出低高度封裝軌到軌輸出柵極驅動光電耦合器

發布時間：2014-9-10 14:02 發布者：eechina

東芝推出采用低高度SO6L封裝的軌到軌輸出柵極驅動光電耦合器，用于直接驅動中低等功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)及功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(power MOSFET)。量產出貨即日啟動。

新款光電耦合器包括用于驅動小功率IGBT的“TLP5751”和用于驅動中等功率IGBT的“TLP5752”及“TLP5754”，它們均采用低高度SO6L封裝。與采用DIP8封裝的東芝產品相比，新產品的高度僅為前者的54%，安裝面積僅為前者的43%，有助于開發更纖薄小巧的裝置。盡管高度較低，但新產品依然保證了8mm的爬電距離和5kV的絕緣電壓，適用于對絕緣規格要求較高的應用。

電氣特性方面，新款光電耦合器擁有軌到軌輸出，在滿擺幅輸出狀態下可通過擴大操作電壓范圍來實現更高的效率。新產品提供1A、2.5A和4A三種輸出電流，以滿足廣泛的用戶需求。新產品還內置東芝獨創的高功率紅外 LED，適用于多種應用，包括需要高度熱穩定性的應用，例如工廠自動化、家用光電電力系統、數字化家用電器和不間斷電源(UPS)。

新產品主要規格
產品型號	TLP5751	TLP5752	TLP5754
峰值輸出電流	±1.0A	±2.5A	±4.0A
供電電壓	15~30V
電源電流	3mA （最大值）
閾值輸入電流	4mA （最大值）
傳播延遲時間	150ns （最大值）
傳播延遲偏差	80ns （最大值）
軌到軌輸出	預裝
VUVLO功能	預裝
爬電距離	8mm （最小值）
絕緣電壓	5000Vrms （最小值）
共模瞬態抗擾度	±35 kV/µsec
工作溫度范圍	-40~110 ºC
適用功率設備	低功率	中等功率	中等功率
	IGBT（最高	IGBT（最高	IGBT（最高
	20A級）和	80A級）和	100A級）和
	功率MOSFET	功率MOSFET	功率 MOSFET

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