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宜普電源轉換公司將于中國大陸兩個業界研討會討論關于最新一代氮化鎵(eGaN)技術,分別為第三屆世界無線供電行業峰會及第十九屆IIC China功率管理及功率半導體研討會。 EL SEGUNDO, Calif. -- (BUSINESS WIRE) -- (美國商業資訊)--硅基增強型功率氮化鎵（(eGaN®)場效應晶體管之全球領導廠商宜普電源轉換公司將于兩個業界研討會以應用為主題發表演講。 于中國上海舉行的第三屆世界無線供電行業峰會 宜普公司的專家將展示由于氮化鎵場效應晶體管（eGaN®FET）具備優越特性如具有低輸出電容、低輸入電容、低寄生電感及小尺寸，因此作為高度諧振并符合Rezence（A4WP）標準的無線電源傳送系統的理想器件，它可以提高該應用的效率。我們對采用MOSFET及氮化鎵場效應晶體管的轉換器在峰值功率、負載變化及負載調制性能等各方面進行比較。 基于氮化鎵場效應晶體管（eGaN® FET）并采用全新零電壓開關D類放大器拓撲的無線電源傳送應用 講者： 宜普電源轉換公司應用工程副總裁Johan Strydom博士 日期／時間： 2014年8月26日星期二下午4時30分至5時10分 于中國深圳舉行的第十九屆IIC China功率管理及功率半導體研討會 最新一代氮化鎵場效應晶體管為業界提高電源轉換的性能基準。由于全新第四代氮化鎵器件系列在主要開關品質因數方面取得重大增益，因此在性能上可進一步拋離日益陳舊的功率MOSFET器件。我們將展示的應用范例包括取得93.5%效率的12 V轉至1.2 V、50 A的負載點（POL）轉換器， 以及取得超過98% 效率的48 V轉至12 V、30 A的非隔離型直流-直流中間總線轉換器。 “電源管理及功率半導體：第四代氮化鎵場效應晶體管(eGaN® FET)”講者： 宜普電源轉換公司亞太區FAE總監鄭正一日期／時間： 2014年9月4日星期二下午3時40分至4時20分 |
