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高Ptot MOSFET和雙極性晶體管具有很低的RDson和VCesat基準值，適用于空間受限應(yīng)用中的電源管理和負載開關(guān) 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分立式扁平無引腳）封裝的晶體管。全新產(chǎn)品組合由25種器件組成，其中包括低RDson MOSFET以及可將電流能力最高提升至3.2 A的低飽和通用晶體管。該全新產(chǎn)品系列憑借其超小外形和高性能，非常適用于空間受限的便攜式應(yīng)用中的電源管理和負載開關(guān)，這是因為外形大小、功率密度和效率在這些應(yīng)用中都是極為關(guān)鍵的因素。 
恩智浦半導(dǎo)體公司晶體管產(chǎn)品經(jīng)理Joachim Stange表示：“在如此小的塑料封裝內(nèi)達到如此高的漏極和集極電流值是前所未有的。通過這一里程碑式的突破，恩智浦會繼續(xù)挑戰(zhàn)MOSFET和雙極性晶體管在超緊湊封裝和性能方面的極限。” 全新產(chǎn)品系列采用兩種封裝：單晶DFN1010D-3 (SOT1215)封裝，功耗最高達到1 W，具有可焊鍍錫側(cè)焊盤的特性。這些側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無鉛封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好，因此能滿足嚴格的汽車要求。雙晶封裝DFN1010B-6 (SOT1216)，占用空間僅為1.1-mm²，是雙晶體管可采用的最小封裝。 采用DFN1010封裝的產(chǎn)品可以替代許多WL-CSP器件。另外，該封裝也可以取代體積更大的DFN封裝和標準含鉛SMD封裝（例如達到其八倍體積的SOT23），同時提供同等甚至更為出色的性能。 全新產(chǎn)品組合的主要特點： • 1.1 x 1 x 0.37 mm超小扁平封裝 • 功耗(Ptot) 最高達到1 W • 采用可焊鍍錫側(cè)焊盤，貼裝性能更好，符合汽車應(yīng)用要求 • 單通道和雙通道MOSFET（N溝道/P溝道） • RDSon值低至34mOhm • ID最高達到3.2 A • 電壓范圍為12 V至80 V • 1 kV ESD保護 • 低VCEsat (BISS)單晶體管 • VCEsat 值低至70 mV • 集極電流(IC)最高達到2 A，峰值集極電流(ICM)最高達到3 A • VCEO范圍為30 V至60 V • 符合AEC-Q101標準 • 雙通道NPN/PNP配電阻（數(shù)字）晶體管（100 mA，R1=R2=47 kOhm /符合AEC-Q101標準） • 通用單晶體管和雙晶體管 上市時間 采用DFN1010封裝的全新晶體管現(xiàn)已量產(chǎn)，即將上市。 鏈接
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