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全面改善當前閃存的可靠性、耐久度及成本 LSI 公司發布其最新LSI SandForce閃存控制器的創新技術， 并在近期舉行的美國加州閃存存儲器峰會上進行了演示。 LSI SandForce閃存控制器的新技術包括LSI SHIELD技術。這是一種高級的糾錯方法，即便同時使用出錯率較高的廉價閃存存儲器也能實現企業級的SSD耐久度和數據完整性。SHIELD是低密度奇偶校驗（LDPC）代碼與數字信號處理（DSP）的一種獨特實現，其將用于新一代SandForce閃存控制器。該技術完美融合硬判決、軟判決和DSP，可提供面向閃存存儲器的最優化綜合糾錯碼（ECC）解決方案。 LSI SHIELD技術與現有的LDPC實現方式相比具有多種優勢，并集合了如下特性：
LSI副總裁兼閃存組件部總經理Huibert Verhoeven表示：“雖然NAND閃存存儲器的價值得以提升，且不斷推動閃存存儲解決方案的普及率，但必須考慮的是，現今產品制造尺寸的縮小會帶來可靠性降低和使用壽命縮短等問題。LSI SHIELD技術能憑借專門針對SSD進行優化的高級糾錯功能解決這些難題，并將最新NAND閃存存儲器轉化為更加穩健的存儲解決方案。” 最新技術亮點： SHIELD技術：演示過程中將根據閃存的各種原始比特差錯率（RBER）對三種技術進行比較，用以展示SHIELD技術與現有LDPC和Bose-Chaudhuri-Hocquenghem（BCH）代碼相比在糾錯方面所具備的優勢。 DuraWrite™Virtual Capacity（DVC）：是一種獨特的SandForce閃存控制器功能，可在底層閃存存儲器物理容量的基礎上擴大典型數據的可用存儲容量。通過增加相同物理閃存存儲器容量，DVC可幫助降低每GB的用戶存儲成本。LSI利用典型數據庫應用進行的內部測試表明，DVC可將用戶數據的存儲容量提升三倍多。演示DVC功能的過程中展示了該技術的多種應用。 東芝先進19nm閃存：LSI SandForce SF-2000閃存控制器現已支持東芝第二代先進19nm NAND閃存存儲器（A19nm），使SSD制造商能夠制造出成本更低的SSD產品。本演示將展示設置為二級驅動器的東芝A19nm閃存技術SSD，介紹典型文件傳輸操作。 |
