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意法半導體推出最新EEPROM系列產品。新產品保證400萬次擦寫操作，而競爭產品只提供100萬次擦寫操作。意法半導體的新產品支持更高的存儲數據更新頻率，延長系統在高溫條件下的壽命，為設計人員帶來了更大的設計自由空間。 EEPROM提高耐寫性能的關鍵技術是意法半導體先進的CMOSF8H 0.15 μm制程。此次推出的新產品包括工業級和汽車級EEPROM，在25°C條件下，耐寫性能為每字節400萬次；在150°C條件下，耐寫性能為每字節40萬次。總耐寫性能為10億次，數據保存期限為200年（55°C）。 增強的耐寫性能和延長的數據保存期限有助于簡化系統設計，可保存需要經常更新的數據以及變化較慢的參數，避免使用為延長標準EEPROM壽命而耗費存儲容量的解決方案。此外，總耐寫性能使其可用于汽車或醫療等因為環境條件變化而需要經常更新重要參數的應用（數據記錄）。 樣片現已上市，意法半導體開始接受量產訂單。 詳情請訪問www.st.com/eeprom |
厲害！
