采用一個4納米厚的鋁酸鑭(lanthanum aluminate)層作為超薄介質(zhì)，以及0.5納米厚的氧化鋁層，美國普杜大學(Purdue University)的銦砷化鎵(IGA)納米晶體管終于達到了一個重要的20納米門限(gate size)的里程碑。當前英特爾公司為其Ivy Bridge硅基晶體管使用的是22納米的制程。
一系列的"4-D"晶體管[圖像來源：普杜大學] 新的銦砷化鎵(IGA)晶體管像是英特爾的鰭狀3D晶體管，采用了三維門的設計，但它還更往前邁進了一步，造出了一個奇異可折疊的三重圓錐形納米線設計，使之看起來更像一棵小松樹。 普杜大學電氣和計算機工程系的Peide "Peter" Ye教授，為他的新裝置取了一個有趣的名字——"4D晶體管"。 他評價說，"一個單層的房子可住不了那么多人，但是更多的樓層可以容納更多的人，而晶體管也是一樣的。把它們堆疊在一起，可以實現(xiàn)高速的運算所需的更大電流和更快的操作。而這添加了全新的維度，因此我稱之為四維的。新晶體管優(yōu)越的電子遷移率將允許更新穎的設計，且其繼任者可以更加雄心勃勃。" 目前的硅芯片制造業(yè)處于不確定的狀態(tài)。預計芯片會在2015達到14nm，研究人員希望到2018年的時候能收縮到10nm。但在14nm之前，繼續(xù)使用當前的"高K"(high-k)介質(zhì)將導致嚴重的泄露電流，因此停留在常規(guī)的道路上的課程研究者們必須展開發(fā)現(xiàn)新電介質(zhì)的競賽。 制程要越過10nm將更加棘手，因為它已經(jīng)把光刻技術推到了很勉強的邊界。像自組裝(self-assembly)或機械操縱原子(mechanical manipulation)這樣的先進技術或許能證實10nm以下的關鍵功能尺寸。 這項新工作發(fā)表在舊金山國際電子設備(International Electron Device Meeting)會議上提交的論文[PDF]中(如下面附件)。 |
