采用一個4納米厚的鋁酸鑭(lanthanum aluminate)層作為超薄介質(zhì)，以及0.5納米厚的氧化鋁層，美國普杜大學(xué)(Purdue University)的銦砷化鎵(IGA)納米晶體管終于達(dá)到了一個重要的20納米門限(gate size)的里程碑。當(dāng)前英特爾公司為其Ivy Bridge硅基晶體管使用的是22納米的制程。
一系列的"4-D"晶體管[圖像來源：普杜大學(xué)] 普杜大學(xué)電氣和計算機工程系的Peide "Peter" Ye教授，為他的新裝置取了一個有趣的名字——"4D晶體管"。
目前的硅芯片制造業(yè)處于不確定的狀態(tài)。預(yù)計芯片會在2015達(dá)到14nm，研究人員希望到2018年的時候能收縮到10nm。但在14nm之前，繼續(xù)使用當(dāng)前的"高K"(high-k)介質(zhì)將導(dǎo)致嚴(yán)重的泄露電流，因此停留在常規(guī)的道路上的課程研究者們必須展開發(fā)現(xiàn)新電介質(zhì)的競賽。 制程要越過10nm將更加棘手，因為它已經(jīng)把光刻技術(shù)推到了很勉強的邊界。像自組裝(self-assembly)或機械操縱原子(mechanical manipulation)這樣的先進技術(shù)或許能證實10nm以下的關(guān)鍵功能尺寸。 這項新工作發(fā)表在舊金山國際電子設(shè)備(International Electron Device Meeting)會議上提交的論文[PDF]中。 [來源：Purdue , Eurekalert] [編譯自：dailytech] |
