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    我公司注重研發(fā),擁有一批資深的專業(yè)器件設(shè)計(jì)、集成電路設(shè)計(jì)和測(cè)試的工程師,并具有一流的開發(fā)測(cè)試平臺(tái)。已經(jīng)開發(fā)了RF LDMOS系列、RF VDMOS系列等多項(xiàng)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、代表中國集成電路水平的高端產(chǎn)品。并與中國科學(xué)院微電子研究所共同研制開發(fā)了功率VDMOS、霍爾效應(yīng)集成傳感器等產(chǎn)品。

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霍爾效應(yīng)與霍爾元件 2020-10-13
霍爾效應(yīng); 1879年,霍爾通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn):如果讓恒定的電流通過金屬薄片,并將薄片置于強(qiáng)磁場(chǎng)中,在金屬薄片的另外兩側(cè)將產(chǎn)生與磁場(chǎng)強(qiáng)度成正比的電動(dòng)勢(shì),這種 ...
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漲知識(shí)!一分鐘帶你了解霍爾效應(yīng) 2020-09-28
漲知識(shí)!一分鐘帶你了解霍爾效應(yīng)   霍爾效應(yīng)原理是以物理學(xué)家埃德溫霍爾命名的。 1879年,他發(fā)現(xiàn),當(dāng)電流沿一個(gè)方向流動(dòng)時(shí),當(dāng)引入垂直于 ...
(954)次閱讀|(0)個(gè)評(píng)論

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