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電源技術新品列表

6 輸出 DC/DC 微型模塊穩壓器LTM8008(LTC)

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 6 輸出 DC/DC 微型模塊 (µModule) 穩壓器 LTM8008,該器件保證工作在 -40ºC 至 150ºC 溫度范圍。LTM8008 包含一個 3V 至 72 ...
2010年12月02日 15:55   |  
LTM8008   穩壓器  

業界首款集成型USB充電端口的電源開關TPS2540(TI)

智能主機模式充電電源 IC 可實現符合標準的可互操作解決方案,顯著縮短移動設備通過 USB 端口充電的時間 德州儀器 (TI) 宣布推出一款最新電源管理器件,該款器件高度集成限流電源開關與 2.6 ...
2010年11月25日 10:44   |  
TPS2540   USB充電   電源開關  

25/30V高性能PQFN封裝工業負載點功率MOSFET(IR)

IR新款25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列為工業負載點應用提供高密度解決方案 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件,采用了IR最新的HEXFET MOSFE ...
2010年11月21日 17:55   |  
功率MOSFET  

具有兩個線性控制器的2.6A、36V 降壓型開關穩壓器 LT3694(LTC)

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出2.6A、36V 降壓型開關穩壓器 LT3694,該器件具有兩個線性控制器,采用 4mm x 5mm QFN 或 TSSOP-20E 封裝。LT3694 在 4V 至 36V 的 VIN 范圍 ...
2010年11月21日 17:30   |  
LT3694   降壓型   穩壓器  

25/30V高性能PQFN功率MOSFET系列(IR)

為工業負載點應用提供高密度解決方案 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件,采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封裝,為電信 ...
2010年11月18日 16:08   |  
功率MOSFET  

集成功率MOSFET的15 VIN、2.5A同步降壓升壓DC/DC轉換器LTC3112(LTC)

轉換器效率高達95%,實現低噪聲運行 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出同步降壓升壓整流器 LTC3112。該器件可通過多種電源提供高達2.5A 的輸出電流,包括單個或多個電池、 ...
2010年11月18日 16:02   |  
DC-DC   LTC3112   MOSFET   轉換器  

60V瞬態保護的36V 輸入、雙輸出跟蹤、3.5A 、2.25MHz降壓型DC/DC轉換器LT3692(LTC)

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出單片雙輸出降壓型開關穩壓器 LT3692。該器件可提供每通道高達 3.5A 的連續輸出電流。LT3692 在 3V 至 36V 的輸入電壓范圍內工作,并具有 60V ...
2010年11月18日 10:59   |  
降壓  

靜態電流僅1µA的升壓DC-DC轉換器AS1310(奧地利微電子)

奧地利微電子公司推出AS1310超低靜態電流、滯回型升壓DC-DC轉換器,專為低負載(60mA)所優化,最高效率可達92%。AS1310升壓轉換器僅消耗1 µA電流,提供業內最低的靜態電流,電池供電電壓 ...
2010年11月18日 10:52   |  
DC-DC  

USB兼容鋰離子電池開關式充電器FAN5400(飛兆)

最小型具備 USB-OTG功能開關式充電器 縮短充電時間并減少發熱 在通過USB端口或 AC/DC適配器為單節或雙節鋰離子(Li-Ion)電池充電時,設計人員需要能夠提高充電速度并解決線性充電器相關的散熱 ...
2010年11月16日 21:03   |  
USB-OTG   充電器   開關式   鋰離子電池  

業界首款完全差分衰減精密放大器AD8475(ADI)

AD8475精密放大器可驅動18位、4MSPS ADC,具有可選增益、高精度和低功耗等特性 ADI推出業界首款完全差分衰減精密放大器 AD8475。這款放大器解決了工業、儀器儀表和醫療應用中的一個常見問題 ...
2010年11月16日 16:47   |  
放大器  

導通電阻最低的MOSFET器件SiZ710DT(Vishay)

器件為業界首款采用PowerPAIR 6mmx3.7 mm封裝和TrenchFET Gen III技術的非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET;在10V下具有低至3.3mΩ的低導通電阻,+70℃下的最大電流為24A Vishay推出首款 ...
2010年11月16日 15:45   |  
MOSFET  
全新第三代太陽能芯片- 不一樣的動力能源組件

全新第三代太陽能芯片- 不一樣的動力能源組件

砷化鎵太陽能,是市場上,效能最高的的太陽能芯片 有別于市場上,硅晶太陽能的效率 砷化鎵太陽能30% > 硅晶(單晶,多晶,非晶)太陽能18% > 薄膜太陽能8 % CPV需要的砷化鎵芯片,現以模 ...
2010年11月14日 16:40   |  
動力   能源   太陽能  

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