位于西班牙巴塞羅那的創業公司Baolab微系統聲稱，他們開發出了一種生產技術，可以用標準的CMOS流程來制造MEMS芯片。Baolab的CEO David Doyle說，該技術涉及在互聯層內刻蝕IMD層。與現有MEMS生產技術相比，新技術將大幅降低生產成本。
NanoEMS工藝能以200nm線寬生產MEMS器件(Source: Baolab) Doyle說，在過去的十年內，該公司重復可靠地刻蝕掉金屬間的介質層。該方法采用蒸汽氫氟酸（HF）刻蝕，但他回避具體細節。他說，有些聲稱采用CMOS工藝的MEMS廠商實際上是在標準CMOS晶片之上制造MEMS。這種MEMS-on-CMOS方法增加成本，而Baolab則可以在薄薄的鋁互聯層內制造MEMS。刻蝕使用已經大量生產的設備進行，僅需不到一小時，與整個生產過程所需時間相比微不足道。因為只適用標準CMOS工藝，MEMS可以直接與所需的有源電路集成在一起。 Baolab已經成功地用標準180納米工藝在200毫米直徑晶片上生產出四個以上金屬層的MEMS器件，最小線寬達到200納米。這比目前常規MEMS器件小了一個數量級，把NanoEMS帶到納米結構領域，附帶的好處包括更小的尺寸、更低的功耗和更快的器件。這種器件可以像普通的CMOS器件一樣進行封裝。
有些公司在標準CMOS晶片之上制造MEMS，而Baolab則在金屬層內制造MEMS 嵌入式公社編譯 |
