TPS22916CNYFPR單通道負載開關，GD25LB256ELIGR/H5AN4G6NBJR-UHC存儲器

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星際金華，明佳達供應 TPS22916CNYFPR單通道負載開關，GD25LB256ELIGR/H5AN4G6NBJR-UHC存儲器


TPS22916CNYFPR 單通道負載開關集成電路

采用DSBGA4封裝的單通道負載開關集成電路，內置低漏電流P溝道MOSFET以實現最小功耗，并支持低至1V工作電壓的高級柵極控制技術。

特性
輸入工作電壓范圍(VIN)：1 V-5.5 V
最大連續電流(IMAX)：2 A
導通電阻（RON）：60 mΩ至200 mΩ（隨電壓變化）
超低功耗：導通態0.5 µA，關斷態10 nA
智能ON引腳下拉（典型電阻750 kΩ）
慢時序（C版本）限制浪涌電流
快時序（B版本）縮短等待時間
始終開啟的真實反向電流阻斷（RCB）
快速輸出放電(QOD)：典型值150Ω
提供低電平有效使能選項（L版本）

應用領域
可穿戴設備
智能手機
平板電腦
便攜式揚聲器

GD25LB256ELIGR 256Mbit NOR閃存IC，支持166MHz四線串行閃存

產品概述
GD25LB256ELIGR是一款支持標準串行外設接口（SPI）、四通道SPI及DTR模式的256Mbit串行閃存。具備串行時鐘、片選、串行數據I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3及RESET#接口。該器件提供卓越性能：四路輸出數據傳輸速率高達664Mbit/s，四路I/O數據傳輸速率達532Mbit/s，DTR四路I/O數據傳輸速率可達832Mbit/s。

特性
256Mbit串行閃存（32M字節），每可編程頁256字節
多接口模式：標準SPI、四倍速SPI、DTR、QPI
高速時鐘頻率高達166MHz，支持快速讀取操作
四倍速I/O數據傳輸速率達532Mbit/s
QPI模式數據傳輸速率達532Mbit/s
DTR四通道I/O數據傳輸速率高達832Mbit/s
支持XIP（原地執行）操作
優化時序實現快速編程/擦除
靈活架構：4K字節扇區與32/64K字節塊組合
擦除/編程暫停/恢復功能
低功耗：典型待機電流20μA，關斷電流2μA
高級安全特性：含128位唯一ID及帶一次性鎖定的4K字節安全寄存器
單電源電壓范圍：1.65~2.0V

H5AN4G6NBJR-UHC DDR SDRAM 同步動態隨機存取存儲器

產品描述
H5AN4G6NBJR-UHC是一款專為現代高性能計算應用設計的高密度、低功耗DDR4同步動態隨機存取存儲器（SDRAM）。該芯片采用先進半導體工藝制造，在緊湊的FBGA-96封裝中提供4Gb（512MB）存儲容量，通過16位寬數據總線實現高速數據傳輸。

核心電壓低至1.2V的運行特性，在保持高性能的同時顯著降低系統功耗，契合節能設計趨勢。該芯片支持高達2400 Mbps的數據傳輸速率，可有效滿足數據中心服務器、高性能網絡設備、工業控制計算機及高端嵌入式系統對內存帶寬的嚴苛需求。

采用表面貼裝技術（SMT）封裝設計，其緊湊型封裝特別適用于空間受限的PCB設計。憑借SK海力士久經考驗的可靠性，H5AN4G6NBJR-UHC是構建穩定高效內存子系統的理想選擇。

規格參數
產品型號：H5AN4G6NBJR-UHC
制造商：SK海力士
內存類型：DDR4 SDRAM（同步動態隨機存取存儲器）
存儲容量：4Gb（4Gbit）
配置：256M字 × 16位
工作電壓：1.2V（典型值），范圍：1.14V ~ 1.26V
時鐘頻率：1.6 GHz（1600 MHz），數據速率相當于2400 MT/s（產品線支持多種速率）
封裝類型：FBGA-96
工作溫度范圍：0°C ~ +95°C（商用級）