兆易創新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布推出新一代雙電壓高性能xSPI NOR Flash——GD25NX系列。該系列采用1.8V核心電壓與1.2V I/O電壓設計，可直接連接1.2V SoC，無需外部電平轉換器，顯著降低系統功耗并優化BOM成本。作為繼GD25NF與GD25NE系列之后的第三代雙電壓供電產品，GD25NX系列延續了兆易創新在雙電壓供電領域的技術積累。該產品系列兼具高速數據傳輸能力與高可靠性，廣泛適用于可穿戴設備、數據中心、邊緣AI及汽車電子等對穩定性、響應速度、能效比要求嚴苛的應用場景。
GD25NX系列SPI NOR Flash支持八通道SPI模式，最高時鐘頻率為STR 200MHz，DTR 200MHz，實現高達400MB/s數據吞吐量。該系列的寫入時間典型值為0.12ms，扇區擦除時間為27ms，其與常規1.8V八通道Flash相比，寫入速度提升30%，擦除速度提升10%。為保障數據可靠性，GD25NX系列集成ECC算法與CRC校驗功能，有效增強數據完整性并延長產品使用壽命。同時，該系列支持DQS功能，為高速系統設計提供完整信號保障，滿足數據中心和汽車電子等高穩定性應用需求。 依托創新的1.2V I/O接口架構，GD25NX系列在實現卓越性能的同時，也具備出色的低功耗表現。其讀取電流在八通道STR 200MHz模式下低至16mA，在八通道DTR 200MHz模式下低至24mA；與常規的1.8V八通道SPI NOR Flash產品相比，GD25NX系列的1.2V I/O接口設計可將讀功耗降低50%，在確保高速運行的同時顯著提升系統能效，為功耗敏感型應用提供更具競爭力的解決方案。 “GD25NX系列的誕生開創了低電壓與高性能兼具的SPI NOR Flash新格局”兆易創新副總裁、存儲事業部總經理蘇如偉表示，“其設計緊貼主流SoC對低電壓接口的需求，為客戶帶來了更高的集成度與更低的BOM成本。未來，兆易創新將持續拓展雙電壓供電產品線，覆蓋更豐富的容量與封裝規格，助力客戶打造更加高效、可靠的低功耗存儲解決方案。” 兆易創新GD25NX系列提供64Mb和128Mb兩種容量選擇，靈活滿足不同應用對存儲空間的差異化需求。該系列支持TFBGA24 8x6mm(5x5 ball array)以及WLCSP(4x6 ball array)封裝形式。目前，128Mb的GD25NX128J產品已開放樣片供客戶評估，64Mb容量的GD25NX64J樣片也在同步準備中。如需獲取詳細技術資料或報價信息，歡迎聯系當地授權銷售代表。 |
