NOR閃存MX25U6432FM2I02，功率開關(guān)TPS22975DSGT，抑制二極管AOZ8851ADI-20

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明佳達，星際金華 供應(yīng) NOR閃存MX25U6432FM2I02，功率開關(guān)TPS22975DSGT，抑制二極管AOZ8851ADI-20

MX25U6432FM2I02 64Mbit MXSMIO系列NOR閃存

產(chǎn)品描述
MX25U6432FM2I02是一款64Mb串行NOR閃存，內(nèi)部配置為8,388,608×8位。在雙I/O或四I/O模式下，結(jié)構(gòu)變?yōu)?3,554,432位×2或16,777,216位×4。該IC采用串行外設(shè)接口及軟件協(xié)議，可在單I/O模式下通過簡易三線總線運行。

特性
支持串行外設(shè)接口 - 模式0和模式3
單電源供電（讀取/擦除/編程操作電壓范圍：1.65至2.0伏）
67,108,864×1位結(jié)構(gòu)，或33,554,432×2位（雙I/O模式），或16,777,216×4位（四I/O模式）
協(xié)議支持：單I/O、雙I/O及四I/O
鎖存保護：-1V至Vcc+1V電壓范圍內(nèi)限流100mA
SPI模式快速讀取，時鐘頻率最高133MHz
支持快速讀取、2READ、DREAD、4READ、QREAD指令
可配置快速讀取操作的虛擬周期數(shù)
支持性能增強模式——XIP（就地執(zhí)行）
支持四通道外設(shè)接口（QPI）

TPS22975DSGT 6A負(fù)載開關(guān) 16mΩ功率開關(guān)IC

產(chǎn)品描述
TPS22975DSGT是一款單通道負(fù)載開關(guān)，提供可配置上升時間以最小化浪涌電流。TPS22975DSGT內(nèi)置N溝道MOSFET，工作輸入電壓范圍為0.6V至5.7V，最大持續(xù)電流支持6A。該開關(guān)通過開/關(guān)輸入（ON）控制，可直接對接低電壓控制信號。TPS22975DSGT 提供可選的 230 Ω 片上負(fù)載電阻，可在關(guān)斷時快速放電。

特性
集成單通道負(fù)載開關(guān)
輸入電壓范圍：0.6 V 至 VBIAS
VBIAS 電壓范圍：2.5 V 至 5.7 V
導(dǎo)通電阻（RON） - RON = 16 mΩ（典型值），當(dāng)VIN = 0.6 V至5.7 V且VBIAS = 5.7 V時
最大連續(xù)開關(guān)電流：6 A
低靜態(tài)電流 - 37 µA（典型值），當(dāng)VIN = VBIAS = 5 V時
低控制輸入閾值支持1.2V、1.8V、2.5V及3.3V邏輯電平
可配置上升時間
熱關(guān)斷保護
快速輸出放電(QOD)（可選）
帶散熱墊的SON 8引腳封裝

應(yīng)用領(lǐng)域
超極本™
筆記本電腦與上網(wǎng)本
平板電腦
消費電子設(shè)備
機頂盒與住宅網(wǎng)關(guān)
電信系統(tǒng)
固態(tài)硬盤（SSD）

AOZ8851ADI-20 20V雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管 0.4pF雙向TVS

產(chǎn)品描述
AOZ8851ADI-20是一款超低電容單線雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管，專為保護高速數(shù)據(jù)線和電壓敏感電子元件免受高瞬態(tài)條件及靜電放電（ESD）影響而設(shè)計。

該器件采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的DFN封裝，額定工作環(huán)境溫度范圍為-40°C至+125°C。

特性
高速數(shù)據(jù)線ESD防護：
IEC 61000-4-2（ESD）抗擾度：
空氣放電：±15 kV
接觸放電：±8 kV
IEC61000-4-5（8/20 μs浪涌）
1.5 A（VRWM=18V）
1.3 A（VRWM=20V）
1.2 A (VRWM=24V)
人體模型(HBM) ±8 kV
雙向TVS
超低電容：0.4 pF
最大反向工作電壓：18 V、20 V、24V
無鉛器件

應(yīng)用領(lǐng)域
USB Type-C
手機
筆記本電腦
便攜設(shè)備
數(shù)碼相機