高效晶閘管CS19-12HO1，IGBT晶體管RBN75H65T1FPQ-A0/RBN40H125S1FPQ-A0

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明佳達，星際金華 供應 高效晶閘管CS19-12HO1，IGBT晶體管RBN75H65T1FPQ-A0/RBN40H125S1FPQ-A0

CS19-12HO1 1.2kV 晶閘管 TO-220-3 高效晶閘管

產品描述
CS19-12HO1為1.2kV、29A晶閘管——高效晶閘管，標準恢復型，通孔安裝，封裝為TO-220-3。

特性
適用于工頻應用
平面鈍化芯片
長期穩定性

應用領域
50/60Hz線路整流
交流電機軟啟動控制
直流電機控制
電力轉換器
交流電源控制
照明與溫度控制

RBN75H65T1FPQ-A0 650V 75A溝槽型IGBT晶體管

產品描述
RBN75H65T1FPQ-A0是一款650V、75A溝槽型絕緣柵雙極晶體管（IGBT），具有低集電極-發射極飽和電壓特性，內置快速恢復二極管（FRD），適用于功率開關應用。采用TO-247A封裝形式。

產品特性
溝槽柵極與薄晶圓技術（G8H系列）
單封裝集成快速恢復二極管
低集電極-發射極飽和電壓 VCE(sat) = 1.5V（典型值，工作條件：IC = 75A, VGE = 15V, Ta = 25 °C）
質量等級：標準
高速開關特性
短路保護（非規格要求）

應用領域
不間斷電源（UPS）
焊接設備
光伏逆變器
電力轉換系統

RBN40H125S1FPQ-A0 1250V溝槽型IGBT晶體管

產品描述
RBN40H125S1FPQ-A0 IGBT 1250V，采用TO-247A引腳封裝，內置快速恢復二極管。

特性
溝槽柵極與晶圓技術（G8H系列）
封裝內置快速恢復二極管
低集電極-發射極飽和電壓 VCE(SAT) = 1.8V（典型值）（IC=40 A, VGE=15 V, TA=25°C）
質量等級：標準
高速開關特性
短路耐受時間（10微秒）
應用領域：UPS、焊接設備、光伏逆變器、電力轉換系統

產品規格
IGBT類型：溝道型
發射極擊穿電壓（最大）：1250 V
集電極電流（Ic）（最大）：80 A
不同Vge與Ic條件下Vce(on)（最大值）：2.34V@15V, 40A
最大功率：319 W
開關功耗：2mJ（導通），1.4mJ（關斷）
輸入類型：標準
柵極電荷：85 nC
25°C下Td（導通/關斷）值：25ns/124ns
測試條件：600V、40A、10歐姆、15V
反向恢復時間(trr)：156ns
工作溫度：175°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-247-3
供應商器件封裝：TO-247A