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全新EVG®40 D2W套刻精度計量系統實現每顆芯片100%測量，吞吐量達行業基準15倍 2025年9月8日，奧地利圣弗洛里安——全球領先的先進半導體工藝解決方案與技術提供商EV 集團（EVG）今日發布EVG®40 D2W——業界首款專用于晶粒對晶圓（Die-to-Wafer, D2W）套刻精度計量的測量平臺。該系統可在300毫米晶圓上實現每顆芯片的100%套刻精度測量，同時具備量產所需的高精度與高吞吐性能。相比面向混合鍵合計量設計的行業基準機型EVG®40 NT2，EVG40 D2W吞吐量提升高達15倍，助力芯片制造商快速驗證晶粒放置精度、實時實施工藝糾正，從而提升工藝控制水平與大規模量產（HVM）良率。 EVG40 D2W適用于所有D2W鍵合應用場景，包括芯粒集成、高帶寬內存（HBM）堆疊及三維系統級芯片（3D SoC）集成等先進工藝，為人工智能（AI）、高性能計算（HPC）、數據中心等高需求應用提供支持。目前，多套EVG40 D2W系統已在客戶產線完成安裝并投入大規模量產服務。 EVG®40 D2W系統是首款專用于芯片到晶圓（D2W）套刻精度檢測的平臺，能夠在300毫米晶圓上實現100%芯片套刻精度測量，并具備生產環境所需的高精度與高速性能。（來源：EV Group） D2W鍵合技術推動高性能器件發展 D2W鍵合技術可將不同尺寸、材料和功能的晶粒或芯粒集成于單一器件或封裝中，是實現AI、自動駕駛等高算力低功耗應用的關鍵路徑。隨著3D封裝互連間距持續微縮，鍵合對準與套刻精度工藝不僅需追求更高精度，還必須實現更高覆蓋率的測量，以識別可能導致銅焊盤或鍵合界面錯位導致的良率損失的套刻精度偏差。 傳統套刻精度量測方法難以匹配D2W鍵合需求 當前D2W套刻精度計量系統大多沿用晶圓對晶圓（W2W）鍵合中采用的“移動-采集-測量”技術，雖精度達標，卻無法滿足D2W所需吞吐量。為提升運行速度，這類系統往往減少采樣點，導致對準信息不充分，影響工藝校正的準確性。此外，集成于拾取與放置D2W鍵合系統中的計量模塊靈活度有限，也難以滿足前沿應用的精度要求。 EVG40 D2W：專為D2W套刻精度量測方案打造的系統 EVG40 D2W通過多項硬件與軟件創新，在不犧牲吞吐量的前提下，實現300毫米晶圓所有芯片的100%套刻精度測量： 提升吞吐量：單次掃描即可同步完成晶粒與基底晶圓對準標志的雙層測量 高速精準定位：全新平臺設計確保影像采集與載臺移動同步 穩定精度表現：優化光源系統，提供穩定照明，確保測量穩定性 高質量成像：大焦深補償技術保障對準標志在不同焦平面仍具備高信噪比 EV 集團在混合鍵合套刻精度控制方面實現重大突破 EV 集團執行技術總監Paul Lindner表示：“作為混合鍵合領域的技術領導者和解決方案提供商，EVG始終致力于推動新產品與新技術的研發，不斷突破性能極限，以解決客戶最復雜的集成挑戰。晶圓對晶圓鍵合工藝因集成多種芯片類型、制程節點和材料而尤為復雜，要在量產環境中實現全面量測并優化工藝，同時不損失吞吐量，是一項巨大挑戰。我們很高興推出全新專用量測設備EVG40 D2W，該設備專門為D2W測量量身打造，具備同類產品中最高的吞吐性能。我們期待與客戶和合作伙伴緊密協作，借助這一全新的D2W鍵合解決方案優化混合鍵合工藝，共同推動其新一代產品的成功。” EVG40 D2W主要特性與優勢 四分鐘內可完成高達2800個套刻精度測量點，提供全芯片定位反饋，吞吐性能無影響 測量精度滿足前沿D2W鍵合應用要求 采用先進建模計算每顆晶粒的位置、形變、旋轉及偏移量 實時反饋測量數據至晶圓廠主機系統，優化后續批次的D2W套刻精度與鍵合工藝 兼容第三方D2W鍵合設備，確保高質量工藝控制 與EVG旗下D2W鍵合工具組合（如EVG320 D2W表面激活與清洗系統）協同使用 產品上市信息 EVG已開始接受EVG40 D2W全自動晶粒對晶圓套刻精度計量系統的訂單，并在總部開放產品演示。 關于EV集團（EV Group） EV集團（EVG）致力于提供創新的工藝解決方案和專業知識，服務于前沿和未來的半導體設計和芯片集成方案。作為微納制造技術探索者，EVG以引領下一代技術突破為愿景，通過前瞻性研發與產業化支持，助力客戶將創新產品成功推向市場。 EVG的量產級半導體設備涵蓋： - 晶圓鍵合系統 - 光刻系統 - 薄晶圓加工設備 - 高精度量測工具 這些技術為半導體前端微縮、3D集成、先進封裝以及其他電子和光子學等新興領域提供核心制造支撐。 |
