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當地時間6月17日，Marvell Technology宣布推出業界首款基于2nm工藝的定制靜態隨機存取存儲器（SRAM），旨在顯著提升下一代AI加速器、云計算及數據中心芯片的性能與能效。該創新產品可提供高達6Gb的高速內存，同時減少66%的待機功耗，并節省15%的芯片面積，為AI基礎設施帶來突破性的性能優化。 行業最高帶寬密度，賦能AI與云計算 Marvell的2nm定制SRAM采用先進的電路架構與臺積電（TSMC）2nm制程技術，實現了3.75GHz的超高工作頻率和6.4Gbit/s的傳輸速率，創下業界最高的每平方毫米帶寬記錄。這一突破使得芯片設計者能夠： 節省15%的芯片面積，用于集成更多計算核心或擴展內存容量； 降低66%的待機功耗，大幅優化AI集群和數據中心的能效比； 提升3D堆疊芯片的互聯效率，支持更復雜的異構計算架構。 定制化內存技術，突破后摩爾時代瓶頸 隨著半導體工藝逼近物理極限，Marvell的定制SRAM技術成為突破傳統內存架構的關鍵。Marvell定制云解決方案高級副總裁Will Chu表示：“定制化是AI基礎設施的未來。超大規模企業目前用于開發尖端XPU的技術，未來將滲透至更廣泛的設備與應用場景。” 該技術是Marvell“定制硅平臺戰略”的最新成果，此前該公司已推出CXL內存擴展技術和定制HBM（高帶寬內存）方案，使AI加速器的內存容量提升33%。 全方位優化，推動AI算力升級 650 Group聯合創始人Alan Weckel指出：“內存仍是AI集群和云計算的最大挑戰。Marvell的解決方案不僅優化了芯片級內存性能，還通過3D同步雙向I/O技術（6.4Gbit/s）提升了封裝與系統層面的效率，為未來3.5D異構集成鋪平道路。” 市場展望與行業影響 Marvell預測，到2028年，定制芯片將占據加速計算市場25%的份額。此次2nm SRAM的推出，進一步鞏固了Marvell在AI基礎設施半導體領域的領導地位，并為下一代高性能計算（HPC）、邊緣AI和超大規模數據中心提供了關鍵技術支持。 |
