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韓國浦項科技大學與中國電子科技大學的研究團隊合作開發了一項突破性技術，通過氣相沉積法制備高性能錫基鈣鈦礦半導體，為下一代顯示器和電子器件的發展提供了新方向。相關成果發表于《自然·電子學》（Nature Electronics）。 晶體管是電子設備的核心組件，分為n型和p型兩類。盡管n型晶體管性能更優，但p型晶體管的效率提升對實現低功耗高速計算至關重要。傳統錫基鈣鈦礦材料依賴溶液法制備，存在可擴展性和一致性不足的問題。 研究團隊采用熱蒸發技術（廣泛應用于OLED電視和半導體芯片制造），成功制備出高質量的銫錫碘（CsSnI3）半導體薄膜。通過添加少量氯化鉛（PbCl2），進一步優化了薄膜的均勻性和結晶度。最終制得的p型晶體管性能顯著提升，空穴遷移率超過30 cm2/V·s，開關電流比達到10⁸，性能與商用n型氧化物半導體相當，能夠實現快速信號處理和低功耗運行。 這項技術不僅解決了溶液法的局限性，還具備與現有OLED生產設備的兼容性，為大規模制造低成本、高性能電子器件奠定了基礎。其低溫加工特性（低于300℃）尤其適合柔性顯示器、可穿戴設備等應用場景。 《每日科學》網站（www.sciencedaily.com） |
