Si2399DS-T1-GE3 參數(shù)： P溝道, -20V, -4A, RDS(ON), 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); -0.81Vth(V); SOT23
應(yīng)用簡介： Si2399DS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，適用于需要控制電流的應(yīng)用。 由于其低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），能有效降低導(dǎo)通損耗，在需要高效能轉(zhuǎn)換的電路中表現(xiàn)出色。 常用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換等電路中，如適配器、電池充電器等。 優(yōu)勢： Si2399DS-T1-GE3的主要優(yōu)勢包括：低導(dǎo)通電阻： 具有低的導(dǎo)通電阻，減少了功率損耗和熱量產(chǎn)生。 可靠性： VBsemi是知名半導(dǎo)體品牌，產(chǎn)品經(jīng)過嚴格的質(zhì)量控制，具有高的可靠性。 封裝： 小型SOT23封裝適合空間有限的設(shè)計。 適用模塊： Si2399DS-T1-GE3 可用于手機充電模塊中的DC-DC轉(zhuǎn)換器電路。 在手機充電時，需要將輸入電壓（通常是5V或9V）轉(zhuǎn)換為適合充電電池的電壓。 MOSFET可以在這些轉(zhuǎn)換器中用作開關(guān)，控制電流流向，實現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。 該型號的低導(dǎo)通電阻有助于減少轉(zhuǎn)換損耗，提高充電效率，同時SOT23封裝適合手機模塊的小型設(shè)計要求。 |
