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2023年11月28日，第九屆國際第三代半導體論壇＆第二十屆中國國際半導體照明論壇在廈門國際會議中心盛大召開。 大會現場 作為有著深厚積累的年度盛會匯聚全球頂級精英，集齊跨地區，跨領域的智慧合力，共同召喚產業發展新生態。今年時值國家半導體照明工程啟動20周年，以及中國國際半導體照明論壇20周年，特別的時節點與國際時代背景變化的交點，賦予了這場具有“全球第三代半導體行業風向標”意義的年度經典盛會別樣的精彩。中國工程院院士、中國科學院院士等多位院士領銜，廈門市工信局、市科技局、火炬高新區管委、惠新廈門科技創新研究院，以及北京、天津、深圳、蘇州、武漢、寧波、常州、泉州、保定、南昌、長治、盤錦等地方發改、工信、科技及高新區領導代表及地方行業協會、學會、聯盟等社團組織代表。還有眾多來自海內外半導體照明、第三代半導體及相關領域的知名專家學者、企業領袖、行業組織領導、投資機構代表出席了本次盛會。圍繞第三代半導體技術、應用，深入探討交流最新技術進展與發展趨勢，分享前沿研究成果，共議產業發展新未來。 繼往開來，開啟產業發展新征程 迎接新周期 作為第三代半導體第一個成熟的應用窗口，半導體照明歷經二十多年的發展取得了歷史性的成就。如今第三代半導體發展進入新的階段，高性能計算、量子技術、能源轉換、光電子學和生物醫學等領域不斷創新和技術挑戰將繼續推動第三代半導體技術研究和應用的進展，未來展充滿著巨大的想象空間和新的可能性。 福建省 委常委、廈門市委書記崔永輝 半導體是廈門科技創新和產業發展的重點方向，已經形成良好的產業發展基礎。福建省 委常委、廈門市委書記崔永輝表示，廈門將依托科技創新引領工程、先進制造業倍增計劃等重點戰略舉措，全力推動廈門半導體產業進一步提檔升級，提質增效，取得更大突破。也歡迎業界同仁深度考察，幫助廈門半導體和集成電路產業發展出謀劃策，推動廈門為全球第三代半導體產業發展做出更大的貢獻。 大會主席、國家新材料產業發展專家咨詢委員會主任、中國工程院原副院長干勇院士 大會主席、國家新材料產業發展專家咨詢委員會主任、中國工程院原副院長干勇院士表示，半導體、新材料、工藝和裝備核心產業環節系統研發創新是建立半導體產業核心競爭力的必要途徑。未來應該進一步通過推動建設多樣化的、動態的、矩陣式的創新聯合體的生態群，實現強鏈、強延、強基。半導體產業的全球化屬性不可改變，創新對于半導體行業尤為重要，要堅持加強全球產業鏈、供應鏈的協作。 國家新材料產業發展專家咨詢委員會委員、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲 國家新材料產業發展專家咨詢委員會委員、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲致辭時表示，以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導體材料處于黃金賽道。在國家科技計劃的連續支持下，我國第三代半導體有了長足的發展，但仍面臨一定的挑戰，產業健康發展還需要我們共同努力。半導體行業是全球一體化程度最高的行業之一，產業健康發展需要世界以建設性態度加強合作，共同推動全球科技領域的合作和進步。 大會主席、2014年諾貝爾物理學獎獲得者，美國加州大學圣塔芭芭拉分校教授中村修二 大會主席、2014年諾貝爾物理學獎獲得者，美國加州大學圣塔芭芭拉分校教授中村修二通過視頻祝賀論壇的召開，并表示今年是中國半導體照明研發項目啟動20周年，祝賀中國的朋友們取得的偉大成就，半導體照明技術和產業的快速發展，以及在通用照明中的快速大規模應用，為寬帶隙半導體的無限應用潛力提供了一個極好的例子。我們仍處于更具影響力的寬帶隙半導體研發的開端。許多科技挑戰正等待我們通過全球努力和合作來解決。為低碳、綠色和可持續發展，以及人類福祉做出貢獻。 廈門市人民政府、廈門大學、季華實驗室、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟戰略合作框架協議簽約 廈門市是國家集成電路布局規劃重點城市及海峽兩岸集成電路產業合作試驗區，半導體產業基礎良好、發展勢頭強勁。為加快發展壯大第三代半導體產業集群，廈門市人民政府、廈門大學、季華實驗室、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟同意建立長期戰略合作伙伴關系，發揮各自優勢，開展產學研用全方位合作，進一步提升廈門市第三代半導體產業的技術水平和綜合實力。開幕式上，四方戰略合作框架協議簽約，通過四方的戰略合作，將圍繞第三代半導體產業領域在廈門打造國家高能級技術創新平臺、共建半導體研究智庫、推動重大科技成果轉化合作、增強第三代半導體企業的全球競爭力，力爭解決我國第三代半導體產業尤其是裝備行業的部分“卡脖子”技術難題，切實提升廈門市半導體產業技術水平。 《第三代半導體功率器件產業及標準化藍皮書》正式發布 開幕式上，標準化在推進國家治理體系和治理能力現代化中發揮著基礎性、引領性作用。在與會嘉賓的見證下，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟組織編寫的《第三代半導體功率器件產業及標準化藍皮書》正式發布。以及舉行“2023金磚國家技能發展與技術創新大賽－先進半導體（氮化鎵、碳化硅）技術及應用大賽頒獎儀式”。2023年國際半導體照明聯盟（ISA）“全球半導體照明突出貢獻獎”評選結果揭曉，匈牙利布達佩斯科技經濟大學教授András Poppe和《國際能源署 （IEA） 節能終端設備實施協議 （4E） 半導體照明項目》獲此殊榮。 開拓與超越 展望產業發展新二十年 創造新成就 新科技時代背景下，隨著不同應用的變革升級以及新興領域的拓展，需求將繼續增長。第三代半導體將迎來更廣闊的發展前景，將開啟新的發展周期，變化可期。與此同時，“雙碳”背景下，產業結構將面臨深刻的低碳轉型挑戰，能源技術將會引領能源產業變革，實現創新驅動發展。人工智能等新技術的快速使用，將使半導體行業朝著高性能、低功耗的目標發展，從而帶動更多應用領域的更新換代和產業升級。 開幕大會主旨報告環節，六大國際重量級報告從現在與未來，走向與選擇，變革與升級，宏觀與微觀，務實與前瞻等不同視角，多維度探討產業發展的未來，共議產業發展新篇章。中國科學院特聘研究員、半導體照明聯合創新國家重點實驗室主任李晉閩與北京大學理學部副主任、教授沈波共同主持了該環節。 國際半導體照明聯盟主席、全國政協教科衛體委員會原副主任曹健林 國家半導體照明工程啟動二十年來取得了巨大的成就，并收獲了諸多的經驗。國際半導體照明聯盟主席、全國政協教科衛體委員會原副主任曹健林報告中表示，半導體照明是第三代半導體第一個成功的突破口，未來將進一步滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等新需求的快速發展，在全球信息化發展及可持續電氣化轉型中發揮著至關重要的作用。 中國科學院院士、廈門大學黨委書記、教授張榮 寬禁帶半導體技術快速崛起，未來10年將對國際半導體產業格局重塑產生至關重要的影響。寬禁帶半導體研究已經取得了不少成就，也有諸如大注入、高場條件下器件，單光子源與單光子探測，自旋注入與極化光，極化調控與鐵電特性等基礎問題需要關注。中國科學院院士、廈門大學黨委書記、教授張榮指出，物理學、材料科學、量子科學及微納加工技術不斷發展，為半導體信息器件提供了新的發展維度，衍生出基于新原理的顛覆性器件，滿足在信息科學前沿領域的創新性應用。 華為數字能源技術有限公司CTO黃伯寧 工業革命伴隨著能源革命，綠色低碳智能世界加速到來。構建以新能源為主體的新型電力系統，功率器件是核心之一。華為數字能源技術有限公司CTO黃伯寧表示，SiC為代表的化合物功率器件與綠色能源產業需求高度共振。Grid Forming構網技術是解決新型電力系統穩定性的關鍵路徑。 英諾賽科歐洲總經理Denis MARCON GaN功率器件技術在多個領域都具有廣泛的應用前景，可以提高系統效率、減小體積，并推動電力電子技術的發展，GaN功率器件的成本與可靠性問題備受關注。英諾賽科歐洲總經理Denis MARCON在報告中指出通過利用規模經濟，8英寸高通量制造晶圓廠完全致力于生產硅晶片上的8英寸GaN，可以提供具有價格競爭力的GaN功率器件。 三安光電股份有限公司副董事長、總經理林科闖 化合物半導體具有的良好特性使得它們在高功率、高頻率、光電子學和光伏等領域的應用表現出色，推動了許多先進技術的發展。三安光電股份有限公司副董事長、總經理林科闖表示，當未來智能照明無處不在時，光電子的創新將是點亮我們幸�？鞓飞畹纳衿骅�匙，努力打造多維物聯網的“核心”世界，為未來世界提供“核心芯片”，實現人類文明的新格局、新智能、新形態。 香港科技大學教授陳敬 氮化鎵（GaN）集成技術有助于提高電子器件的性能、降低系統成本、減小尺寸，并增強系統的可靠性。香港科技大學教授陳敬報告中表示，GaN HEMT功率器件的平面特性為各種應用提供了豐富的機會。GaN電力電子電源集成、可靠性問題至關重要，必須加以解決。 本屆論壇除了重量級開、閉幕大會，還設有14場主題技術分論壇，7場熱點產業峰會，多場衛星活動，匯聚全球頂級精英，全面覆蓋半導體照明和第三代半導體領域的前沿熱點、技術應用、產業趨勢。并專門設置了“2023第三代半導體技術應用創新展”，全鏈條聚焦第三代半導體產業發展。論壇會期4天，也給業界充足的互動交流時間。論壇期間有論文評選、現場抽獎、商務參觀等精彩紛呈的活動，特別是本屆論壇設置了國家半導體照明工程二十周年紀念展示區，見證行業發展歷程和豐碩成果�，F場氛圍非常熱烈。 更多論壇詳細信息，敬請關注公眾號！ |
