国产精品免费无遮挡无码永久视频-国产高潮视频在线观看-精品久久国产字幕高潮-国产精品99精品无码视亚

數據記錄應用STT-MRAM芯片S3R1016

發布時間:2023-6-25 17:31    發布者:英尚微電子
關鍵詞: STT-MRAM , MRAM
Netsol代理英尚微提供的S3R1016是容量為1Mbit的自旋轉移力矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)。數據始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,有助于簡化系統設計。是一個具有并行異步接口的完全隨機存取存儲器。支持x16或x8I/O模式。x16I/O模式允許通過數據字節控制(LB、UB)訪問低位和高位字節。支持異步頁面模式功能,以提高讀寫性能。x16 I/O模式和x8I/O模式的頁面大小分別為4個字和8個字。
在數據記錄應用中,數據記錄是如下持續、反復地將重要數據保存于設備的過程。可以記錄系統內外部發生的事件;使用歷史;環境參數 ;機器狀態;用于分析目的的其他數據。因需要持續、反復地保存數據,內存需要快速的寫入速度與高耐久性。
本文地址:http://www.4huy16.com/thread-827332-1-1.html     【打印本頁】

本站部分文章為轉載或網友發布,目的在于傳遞和分享信息,并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責;文章版權歸原作者及原出處所有,如涉及作品內容、版權和其它問題,我們將根據著作權人的要求,第一時間更正或刪除。
您需要登錄后才可以發表評論 登錄 | 立即注冊

廠商推薦

  • Microchip視頻專區
  • 技術熱潮席卷三城,2025 Microchip中國技術精英年會圓滿收官!
  • Microchip第22屆中國技術精英年會——采訪篇
  • 常見深度學習模型介紹及應用培訓教程
  • 電動兩輪車設計生態系統
  • 貿澤電子(Mouser)專區
關于我們  -  服務條款  -  使用指南  -  站點地圖  -  友情鏈接  -  聯系我們
電子工程網 © 版權所有   京ICP備16069177號 | 京公網安備11010502021702
快速回復 返回頂部 返回列表