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IGBT測試難點： 1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個測量模塊協同測試。 2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設備進行測試。 3、IGBT動態電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進行測試。 4、由于IGBT工作在強電流下，自加熱效應明顯，脈沖測試可以減少自加熱效應，所以MOSFET需要進行脈沖IV測試，用于評估期間的自加熱特性。 5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內容，且與其在高頻應用有密切關系。所以IGBT的電容測試非常重要。 6、IGBT開關特性非常重要，需要進行雙脈沖動態參數的測試。 功率器件分析儀特點和優勢： 單臺Z大3000V輸出； 單臺Z大1000A輸出，可并聯后Z大4000A； 10us的超快電流上升沿； 同步測量； 國標全指標的自動化測試； 
技術指標
可測項目 集電極-發射極電壓Vces，集電極-發射極擊穿電壓V(br)ces 集電極-發射極飽和電壓Vce sat 集電極電流Ic，集電極截止電流Ices 柵極漏電流Iges，柵極-發射極閾值電壓Vge(th) 柵極電阻Rg 電容測量 I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等 普賽斯功率器件分析儀集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態參數，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統可測量不同封裝類型的功率器件的靜態參數，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，pA級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態參數測試系統采用模塊化設計，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。 | |||||||||||||||||||||||
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