應(yīng)用于醫(yī)療設(shè)備中的并行接口MRAM-MR5A16A
發(fā)布時間：2020-5-29 14:50
發(fā)布者：
英尚微電子
Everspin并行輸入/輸出MRAM產(chǎn)品的簡單異步靜態(tài)隨機存取存儲器標(biāo)準(zhǔn)JEDEC接口和QSPI/SPI接口使設(shè)計易于實現(xiàn)，無需額外的組件或生態(tài)系統(tǒng)支持。Everspin MRAM技術(shù)的強大可靠性使工程師們能夠使用Everspin的標(biāo)準(zhǔn)商業(yè)/工業(yè)級產(chǎn)品來滿足患者關(guān)鍵醫(yī)療設(shè)備市場的苛刻要求。
MR5A16A是一個33，554，432位磁阻隨機存取存儲器(MRAM)設(shè)備，由16位的2，097，152個字組成。MR5A16A提供靜態(tài)隨機存取存儲器兼容的35 ns讀/寫時序(汽車溫度選項為45ns)，具有無限的耐用性。數(shù)據(jù)在超過20年的時間內(nèi)始終是不可揮發(fā)的。數(shù)據(jù)在掉電時由低壓抑制電路自動保護，以防止電壓超出規(guī)格的寫入。MR5A16A提供小尺寸的48引腳球柵陣列（BGA）封裝和54引腳的薄小外形封裝（TSOP 2型）。這些封裝與類似的低功耗SRAM產(chǎn)品和其他非易失性RAM產(chǎn)品兼容。
MR5A16A在很寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。該產(chǎn)品提供商用溫度（0至+70°C），工業(yè)溫度（-40至+85°C）和汽車溫度（-40至+ 125°C）工作溫度選項。為了簡化容錯設(shè)計，MR5A16A包括內(nèi)部單比特糾錯碼，每64個數(shù)據(jù)位有7個糾錯碼奇偶校驗位。MR5A16A是適用于必須永久存儲和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)的應(yīng)用程序的理想內(nèi)存解決方案.英尚微電子可提供樣品及技術(shù)支持.
工程師可以從一系列Everspin MRAM存儲器選項中進行選擇，因為MRAM固有的非易失性，不需要電池或電容，無限的非易失性寫耐久性以及非易失性寫周期和讀周期的高速。這些獨特的MRAM屬性提高了系統(tǒng)的可靠性，這在高可靠性醫(yī)療設(shè)備市場中至關(guān)重要。
Everspin 并行MRAM MR5A16A系列
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2020-5-29 14:49 上傳
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Density | Org. | Part Number | Pkg. | Voltage | Temp | MOQ(pcs)/ T&R | 32Mb | 2Mx16 | MR5A16AMA35 | 48-BGA | 3.3v | Commercial | 696 | 32Mb | 2Mx16 | MR5A16AMA35R | 48-BGA | 3.3v | Commercial | 696 | 32Mb | 2Mx16 | MR5A16ACMA35 | 48-BGA | 3.3v | Industrial | 696 | 32Mb | 2Mx16 | MR5A16ACMA35R | 48-BGA | 3.3v | Industrial | 696 | 32Mb | 2Mx16 | MR5A16AYS35 | 54-TSOP2 | 3.3v | Commercial | 1000 | 32Mb | 2Mx16 | MR5A16AYS35R | 54-TSOP2 | 3.3v | Commercial | 1000 | 32Mb | 2Mx16 | MR5A16ACYS35 | 54-TSOP2 | 3.3v | Industrial | 1000 | 32Mb | 2Mx16 | MR5A16ACYS35R | 54-TSOP2 | 3.3v | Industrial | 1000 | 32Mb | 2Mx16 | MR5A16AUYS45 | 54-TSOP2 | 3.3v | Automotive | 1000 | 32Mb | 2Mx16 | MR5A16AUYS45R | 54-TSOP2 | 3.3v | Automotive | 1000 | 32Mb | 2Mx16 | MR5A16AUMA45 | 48-BGA | 3.3v | Automotive | 696 | 32Mb | 2Mx16 | MR5A16AUMA45R | 48-BGA | 3.3v | Automotive | 696 |
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英尚微電子 發(fā)表于
2020-5-29 14:51:06
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MR5A16A提供靜態(tài)隨機存取存儲器兼容的35 ns讀/寫時序(汽車溫度選項為45ns)，具有無限的耐用性。數(shù)據(jù)在超過20年的時間內(nèi)始終是不可揮發(fā)的。數(shù)據(jù)在掉電時由低壓抑制電路自動保護，以防止電壓超出規(guī)格的寫入。 |
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英尚微電子 發(fā)表于
2020-5-29 14:51:43
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MRAM固有的非易失性，不需要電池或電容，無限的非易失性寫耐久性以及非易失性寫周期和讀周期的高速。這些獨特的MRAM屬性提高了系統(tǒng)的可靠性，這在高可靠性醫(yī)療設(shè)備市場中至關(guān)重要。 |
