三星發(fā)布30nm工藝moviNAND嵌入式閃存

發(fā)布時間：2009-5-13 07:22 發(fā)布者：MSP430

三星電子宣布已開始出貨32GBmoviNAND，這種高密度嵌入式閃存卡采用了先進的30nm工藝，適用于高端手機和其他移動消費電子設備。32GB moviNAND首次融合了32Gb NAND閃存芯片和30nm制造工藝，其存儲密度是當前40nm16Gb的兩倍。

每一個32GB moviNAND都有三部分組成，其一是八顆30nm32GbNAND閃存芯片；其二是一個MMC控制器，符合最新eMMCv4.3規(guī)范，支持縮短啟動時間的加電啟動功能和降低功耗的休眠命令；其三是一個固件，能夠改善處理、存儲大容量數據時的性能。

除了32GB，三星30nm moviNAND閃存卡還有16GB、8GB和4GB三種容量。

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