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器件導通電阻低至1.5Ω，具有11pF的CS(OFF)的低寄生電容、100ns的開關時間和0.033μW的功耗 Vishay推出具有1.5Ω低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導通電阻只有1.5Ω。與前一代產品和在相同占位內具有近似導通電阻的競爭模擬開關相比，這些器件在關閉狀態下的源極寄生電容要低50%，電荷注入最多低80%。這些器件的開關時間為100ns，性能更好，非常適合數據采集、工業控制和自動化、通信、A/V系統，以及醫療設備和自動測試設備中的信號切換和替代繼電器。 
DG1411、DG1412和DG1413采用了新的CMOS工藝平臺，確保在整個模擬信號范圍內，保持低開關電阻且曲線平直，提供優異的線性度，因此非常適合低畸變應用，例如采樣和保持電路、可編程增益控制電路及A/V信號路由。低導通電阻使這些模擬開關可以替代機械式繼電器，成為自動測試設備和需要采用電流開關的應用的首選方案。 DG1411、DG1412和DG1413均具有4路獨立的可選通的SPST開關。DG1411的開關是常關的，DG1412是常開的；DG1413有2路開關是常開的，2路是常關的，可以保證操作是先開后合的。器件可以使用單路4.5V～24V供電，或雙路±4.5V～±15V電源。模擬開關不需要VL邏輯供電，所有數字輸入都有0.8V和2V邏輯門限，可保證與低壓TTL/CMOS的兼容性。 器件的最大導通電阻保持在0.48 Ω，CS(OFF)為11pF, CD(ON)為87pF，在信號范圍內的電荷注入為-60pC～+135pC。DG1411、DG1412和DG1413是雙向開關，在導通時的模擬信號可以達到電源電壓，在關斷時可以阻斷信號。開關符合RoHS，無鹵素，采用TSSOP16和4mm x 4mm的QFN16封裝。 新模擬開關現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為八周。 |
