飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿足D ...

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出單相同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3816，該器件支持Intel IMVP-6、IMVP-6+ 和 IMVP-6.5 協(xié)議。Intel 移動(dòng)電壓定位 (Intel Mobile Voltage Po ...

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開關(guān)、系統(tǒng)和負(fù)載開關(guān)、 ...

在設(shè)計(jì)機(jī)頂盒、超移動(dòng)PC、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和電子書(eBook)等復(fù)雜性較高的消費(fèi)電子應(yīng)用產(chǎn)品時(shí)，設(shè)計(jì)人員需要能夠解決電池管理和綠色能源難題的功率開關(guān)解決方案，而它們又每每與這些應(yīng)用產(chǎn)品中較 ...

Diodes公司推出全新20V NPN及PNP雙極晶體管，它們采用超小型DFN1411-3表面貼裝封裝，能大大提升電源管理電路的功率密度和效率。該器件采用了Diodes第五代矩陣射極雙極工藝設(shè)計(jì) (5 matrix emitte ...

Maxim推出同步高效DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器MAX8952。器件采用Maxim先進(jìn)的BiCMOS工藝和封裝技術(shù)(微型4mm²晶片級(jí)封裝(WLP))，能夠提供2.5A的輸出電流。大電流輸出能力允許應(yīng)用處理器工作在最高時(shí)鐘速 ...

Maxim推出用于boost、buck-boost和buck配置的高壓HB LED驅(qū)動(dòng)器MAX16833。器件獨(dú)特的架構(gòu)可提供完備的短路保護(hù)，通過單線連接至LED，并具有內(nèi)部頻率抖動(dòng)功能。這些特性使設(shè)計(jì)人員可以輕松滿足DRL ...

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LT3496 的 H 級(jí)版本。LT3496 是一種 2MHz DC/DC 轉(zhuǎn)換器，以作為三通道恒定電流 LED 驅(qū)動(dòng)器工作而設(shè)計(jì)。該器件三個(gè)通道中的每一個(gè)都能驅(qū)動(dòng)多 ...

Maxim推出單節(jié)和2節(jié)電池電量計(jì)IC MAX17040/MAX17041和MAX17043/MAX17044。該系列電量計(jì)采用Maxim的ModelGauge算法，是業(yè)內(nèi)僅有的無需測(cè)量電流即可精確估計(jì)Li+電池充電狀態(tài)(SOC)的電量計(jì)。ModelG ...

Vishay推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220 ...

為了滿足能源之星(ENERGY STAR)法規(guī)要求并降低材料清單(BOM)成本，設(shè)計(jì)人員力求在總體產(chǎn)品設(shè)計(jì)中以更少的組件數(shù)目實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的性能。這種對(duì)高能效設(shè)備的需求，使得設(shè)計(jì)人員越來越多地使用功率因數(shù) ...

由于移動(dòng)電話和其它便攜設(shè)備對(duì)存儲(chǔ)功能的要求增加，出現(xiàn)了為更大容量的SD閃存卡供電的新興需求。飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)開發(fā)出一款采用專有的同步整流架構(gòu)的3MHz 500mA同步降 ...