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電源技術(shù)新品列表

ST 無拖尾電流”600V IGBT突破功率設(shè)計(jì)限制

ST 無拖尾電流”600V IGBT突破功率設(shè)計(jì)限制

意法半導(dǎo)體(ST)的先進(jìn)的V系列600V溝柵式場截止型(trench-gate field-stop)IGBT 具有平順、無拖尾電流的關(guān)機(jī)特性,飽和電壓更是低達(dá)1.8V,最大工作結(jié)溫高達(dá)175°C,這些優(yōu)點(diǎn)將有助于開發(fā)人員 ...
2013年12月16日 11:56   |  
IGBT  
品佳力推基于 Infineon XMC1000 系列單片機(jī)的數(shù)字電源解決方案

品佳力推基于 Infineon XMC1000 系列單片機(jī)的數(shù)字電源解決方案

大聯(lián)大旗下品佳集團(tuán)代理的Infineon 推出XMC1000 32位MCU,該器件采用300mm晶圓,將ARM Cortex-M0內(nèi)核與尖端的65nm制程技術(shù)結(jié)合在一起。該系列MCU具有6個(gè)12位A/D轉(zhuǎn)換器通道(轉(zhuǎn)換速率高達(dá)1.88兆 ...
2013年12月12日 17:17   |  
XMC1000   數(shù)字電源   Cortex-M0  
Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET

Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET

率先采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm MICRO FOOT封裝尺寸,可用于移動計(jì)算,在4.5V下導(dǎo)通電阻低至8.0mΩ Vishay推出業(yè)界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT封裝尺寸的-20V器件---Si885 ...
2013年12月05日 11:09   |  
P溝道   MOSFET  
Intersil推出用于下一代基礎(chǔ)設(shè)施電源系統(tǒng)的全集成式6A數(shù)字開關(guān)穩(wěn)壓器

Intersil推出用于下一代基礎(chǔ)設(shè)施電源系統(tǒng)的全集成式6A數(shù)字開關(guān)穩(wěn)壓器

易于使用的ZL2102 6A數(shù)字同步步降DC/DC電源穩(wěn)壓器幫助減少電源系統(tǒng)的開發(fā)時(shí)間 Intersil公司推出一款6A數(shù)字同步步降DC/DC電源穩(wěn)壓器--- ZL2102,從而使其行業(yè)領(lǐng)先的電源管理IC產(chǎn)品陣容進(jìn)一步 ...
2013年12月05日 10:42   |  
同步步降   穩(wěn)壓器   DC-DC  

英飛凌EiceDRIVER 系列新產(chǎn)品:1EDI Compact驅(qū)動器采用無芯變壓器技術(shù)

適用于電壓高達(dá)1200 V的應(yīng)用 英飛凌科技股份公司推出針對絕緣電壓高達(dá)1200伏的應(yīng)用的1EDI EiceDRIVER Compact單通道柵極驅(qū)動器。該款電氣絕緣驅(qū)動器的組件采用英飛凌研發(fā)的無磁芯變壓器技術(shù) ...
2013年12月04日 11:27   |  
EiceDRIVER   柵極驅(qū)動   無芯變壓  
TI推出在連續(xù)傳導(dǎo)模式下支持最廣泛可編程工作頻率的PFC控制器

TI推出在連續(xù)傳導(dǎo)模式下支持最廣泛可編程工作頻率的PFC控制器

TI 8 引腳連續(xù)傳導(dǎo)模式 PFC 控制器可在實(shí)現(xiàn)超過 0.95 功率因數(shù)的同時(shí),將分流電阻器功耗銳降 50% 德州儀器 (TI) 宣布推出一款在連續(xù)傳導(dǎo)模式(CCM)下支持業(yè)界最廣泛可編程工作頻率的功率因數(shù) ...
2013年12月03日 16:25   |  
PFC   功率因數(shù)校正  
凌力爾特推出80V 降壓-升壓型鉛酸和鋰電池充電控制器

凌力爾特推出80V 降壓-升壓型鉛酸和鋰電池充電控制器

在太陽能應(yīng)用中主動地尋找真正的最大功率點(diǎn) 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出面向鉛酸和鋰電池的同步降壓-升壓型電池充電控制器 LT8490,該器件具備自動最大功率點(diǎn)跟蹤 (M ...
2013年12月03日 13:32   |  
MPPT   太陽能   電池充電器  
Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻

Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻

12V和-20V器件采用PowerPAK ChipFET和PowerPAK 1212-8S封裝,3.0mm x 1.9mm x 3.3mm的占位體積 Vishay推出采用PowerPAK ChipFET和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件,擴(kuò)充其TrenchFET P溝道Gen I ...
2013年12月02日 10:17   |  
MOSFET   PowerPAK  
TDK推出新型 EPCOS薄膜電容器:小型化 MKP 系列

TDK推出新型 EPCOS薄膜電容器:小型化 MKP 系列

TDK 集團(tuán)推出的愛普科斯(EPCOS) MKP B3267*P*系列的薄膜電容器具有極小的體積,例如 電容值為 1 微法以及額定直流電壓為 450 伏的型號,電容密度極高,其引線間距只有 10 毫 米,體積僅為 8.0 x ...
2013年11月27日 17:48   |  
薄膜電容   功率因數(shù)   PFC  
TDK推出新的高容積比EPCOS薄膜電容器

TDK推出新的高容積比EPCOS薄膜電容器

TDK公司的愛普科斯(EPCOS) 高容積比金屬化聚丙烯薄膜電容(B32774*到 B32778*)新增加2種電壓等級575Vdc和900Vdc。新增電壓后,全系列的額 定電壓有:450V DC、575V DC(新)、800V DC、900V DC( ...
2013年11月27日 17:43   |  
薄膜電容   變頻器   開關(guān)電源  
凌力爾特推出具雪崩光電二極管電流監(jiān)視器的小型升壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

凌力爾特推出具雪崩光電二極管電流監(jiān)視器的小型升壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出固定頻率、電流模式升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LT3905,該器件專為對光接收器中的雪崩光電二極管 (APD) 施加偏置而設(shè)計(jì)。LT3905 具有高壓側(cè) APD 電 ...
2013年11月27日 17:26   |  
DC-DC   雪崩光電二極管   APD  

TDK-LAMBDA推出Z+系列電源,具有全球最高功率密度

TDK集團(tuán)旗下的TDK-LAMBDA公司新開發(fā)出Z+系列超小型化,全球最高功率密度的CVCC可編程電源產(chǎn)品。 Z+系列包含200W,400W,600W和800W系列,可滿足廣泛的客戶需求。400W型號已于3月1日起接受訂單, ...
2013年11月27日 17:12   |  
電源   高功率密度  

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