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是德示波器如何精準測量第三代半導體SiC的動態特性

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agitek2008 發布時間: 2025-4-21 17:26 正文摘要: 第三代半導體材料SiC（碳化硅）憑借其高擊穿電壓、低導通電阻、耐高溫等特性，在新能源汽車、工業電源、軌道交通等領域展現出顯著優勢。然而，SiC器件的高頻開關特性也帶來了動態測試的挑戰：開關速度可達納秒級，電 ...

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