20V N-CH 增強型 MOSFET 場效應晶體管 型號：LN2312LT1G 漏源極電阻：0.041 Ω 閾值電壓：0.4 V 漏源極電壓(Vds)：20 V 連續漏極電流(Ids)：4.9A 封裝：SOT-23 特征 先進的溝槽工藝技術 用于超低導通電 ...
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