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標(biāo)題: TPS22916CNYFPR單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)，GD25LB256ELIGR/H5AN4G6NBJR-UHC存儲(chǔ)器 [打印本頁(yè)]

作者: xingjijinhua 時(shí)間: 2025-12-4 15:20
標(biāo)題: TPS22916CNYFPR單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)，GD25LB256ELIGR/H5AN4G6NBJR-UHC存儲(chǔ)器
星際金華，明佳達(dá)供應(yīng) TPS22916CNYFPR單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)，GD25LB256ELIGR/H5AN4G6NBJR-UHC存儲(chǔ)器

TPS22916CNYFPR 單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)集成電路

采用DSBGA4封裝的單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)集成電路，內(nèi)置低漏電流P溝道MOSFET以實(shí)現(xiàn)最小功耗，并支持低至1V工作電壓的高級(jí)柵極控制技術(shù)。

特性
輸入工作電壓范圍(VIN)：1 V-5.5 V
最大連續(xù)電流(IMAX)：2 A
導(dǎo)通電阻（RON）：60 mΩ至200 mΩ（隨電壓變化）
超低功耗：導(dǎo)通態(tài)0.5 µA，關(guān)斷態(tài)10 nA
智能ON引腳下拉（典型電阻750 kΩ）
慢時(shí)序（C版本）限制浪涌電流
快時(shí)序（B版本）縮短等待時(shí)間
始終開(kāi)啟的真實(shí)反向電流阻斷（RCB）
快速輸出放電(QOD)：典型值150Ω
提供低電平有效使能選項(xiàng)（L版本）

應(yīng)用領(lǐng)域
可穿戴設(shè)備
智能手機(jī)
平板電腦
便攜式揚(yáng)聲器

GD25LB256ELIGR 256Mbit NOR閃存IC，支持166MHz四線串行閃存

產(chǎn)品概述
GD25LB256ELIGR是一款支持標(biāo)準(zhǔn)串行外設(shè)接口（SPI）、四通道SPI及DTR模式的256Mbit串行閃存。具備串行時(shí)鐘、片選、串行數(shù)據(jù)I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3及RESET#接口。該器件提供卓越性能：四路輸出數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)664Mbit/s，四路I/O數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)532Mbit/s，DTR四路I/O數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)832Mbit/s。

特性
256Mbit串行閃存（32M字節(jié)），每可編程頁(yè)256字節(jié)
多接口模式：標(biāo)準(zhǔn)SPI、四倍速SPI、DTR、QPI
高速時(shí)鐘頻率高達(dá)166MHz，支持快速讀取操作
四倍速I(mǎi)/O數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)532Mbit/s
QPI模式數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)532Mbit/s
DTR四通道I/O數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)832Mbit/s
支持XIP（原地執(zhí)行）操作
優(yōu)化時(shí)序?qū)崿F(xiàn)快速編程/擦除
靈活架構(gòu)：4K字節(jié)扇區(qū)與32/64K字節(jié)塊組合
擦除/編程暫停/恢復(fù)功能
低功耗：典型待機(jī)電流20μA，關(guān)斷電流2μA
高級(jí)安全特性：含128位唯一ID及帶一次性鎖定的4K字節(jié)安全寄存器
單電源電壓范圍：1.65~2.0V

H5AN4G6NBJR-UHC DDR SDRAM 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

產(chǎn)品描述
H5AN4G6NBJR-UHC是一款專為現(xiàn)代高性能計(jì)算應(yīng)用設(shè)計(jì)的高密度、低功耗DDR4同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）。該芯片采用先進(jìn)半導(dǎo)體工藝制造，在緊湊的FBGA-96封裝中提供4Gb（512MB）存儲(chǔ)容量，通過(guò)16位寬數(shù)據(jù)總線實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸。

核心電壓低至1.2V的運(yùn)行特性，在保持高性能的同時(shí)顯著降低系統(tǒng)功耗，契合節(jié)能設(shè)計(jì)趨勢(shì)。該芯片支持高達(dá)2400 Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，可有效滿足數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、高性能網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、工業(yè)控制計(jì)算機(jī)及高端嵌入式系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存帶寬的嚴(yán)苛需求。

采用表面貼裝技術(shù)（SMT）封裝設(shè)計(jì)，其緊湊型封裝特別適用于空間受限的PCB設(shè)計(jì)。憑借SK海力士久經(jīng)考驗(yàn)的可靠性，H5AN4G6NBJR-UHC是構(gòu)建穩(wěn)定高效內(nèi)存子系統(tǒng)的理想選擇。

規(guī)格參數(shù)
產(chǎn)品型號(hào)：H5AN4G6NBJR-UHC
制造商：SK海力士
內(nèi)存類型：DDR4 SDRAM（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）
存儲(chǔ)容量：4Gb（4Gbit）
配置：256M字 × 16位
工作電壓：1.2V（典型值），范圍：1.14V ~ 1.26V
時(shí)鐘頻率：1.6 GHz（1600 MHz），數(shù)據(jù)速率相當(dāng)于2400 MT/s（產(chǎn)品線支持多種速率）
封裝類型：FBGA-96
工作溫度范圍：0°C ~ +95°C（商用級(jí)）

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