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標(biāo)題: 高效晶閘管CS19-12HO1，IGBT晶體管RBN75H65T1FPQ-A0/RBN40H125S1FPQ-A0 [打印本頁]

作者: xingjijinhua 時間: 2025-10-13 13:39
標(biāo)題: 高效晶閘管CS19-12HO1，IGBT晶體管RBN75H65T1FPQ-A0/RBN40H125S1FPQ-A0
明佳達(dá)，星際金華供應(yīng) 高效晶閘管CS19-12HO1，IGBT晶體管RBN75H65T1FPQ-A0/RBN40H125S1FPQ-A0

CS19-12HO1 1.2kV 晶閘管 TO-220-3 高效晶閘管

產(chǎn)品描述
CS19-12HO1為1.2kV、29A晶閘管——高效晶閘管，標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)型，通孔安裝，封裝為TO-220-3。

特性
適用于工頻應(yīng)用
平面鈍化芯片
長期穩(wěn)定性

應(yīng)用領(lǐng)域
50/60Hz線路整流
交流電機(jī)軟啟動控制
直流電機(jī)控制
電力轉(zhuǎn)換器
交流電源控制
照明與溫度控制

RBN75H65T1FPQ-A0 650V 75A溝槽型IGBT晶體管

產(chǎn)品描述
RBN75H65T1FPQ-A0是一款650V、75A溝槽型絕緣柵雙極晶體管（IGBT），具有低集電極-發(fā)射極飽和電壓特性，內(nèi)置快速恢復(fù)二極管（FRD），適用于功率開關(guān)應(yīng)用。采用TO-247A封裝形式。

產(chǎn)品特性
溝槽柵極與薄晶圓技術(shù)（G8H系列）
單封裝集成快速恢復(fù)二極管
低集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(sat) = 1.5V（典型值，工作條件：IC = 75A, VGE = 15V, Ta = 25 °C）
質(zhì)量等級：標(biāo)準(zhǔn)
高速開關(guān)特性
短路保護(hù)（非規(guī)格要求）

應(yīng)用領(lǐng)域
不間斷電源（UPS）
焊接設(shè)備
光伏逆變器
電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)

RBN40H125S1FPQ-A0 1250V溝槽型IGBT晶體管

產(chǎn)品描述
RBN40H125S1FPQ-A0 IGBT 1250V，采用TO-247A引腳封裝，內(nèi)置快速恢復(fù)二極管。

特性
溝槽柵極與晶圓技術(shù)（G8H系列）
封裝內(nèi)置快速恢復(fù)二極管
低集電極-發(fā)射極飽和電壓 VCE(SAT) = 1.8V（典型值）（IC=40 A, VGE=15 V, TA=25°C）
質(zhì)量等級：標(biāo)準(zhǔn)
高速開關(guān)特性
短路耐受時間（10微秒）
應(yīng)用領(lǐng)域：UPS、焊接設(shè)備、光伏逆變器、電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)

產(chǎn)品規(guī)格
IGBT類型：溝道型
發(fā)射極擊穿電壓（最大）：1250 V
集電極電流（Ic）（最大）：80 A
不同Vge與Ic條件下Vce(on)（最大值）：2.34V@15V, 40A
最大功率：319 W
開關(guān)功耗：2mJ（導(dǎo)通），1.4mJ（關(guān)斷）
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷：85 nC
25°C下Td（導(dǎo)通/關(guān)斷）值：25ns/124ns
測試條件：600V、40A、10歐姆、15V
反向恢復(fù)時間(trr)：156ns
工作溫度：175°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-247A

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