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標題: NTD5867NLT4G-VB一款TO252封裝N溝道MOS管應用領(lǐng)域講解 [打印本頁]

作者: VBsemi 時間: 2023-11-17 14:03
標題: NTD5867NLT4G-VB一款TO252封裝N溝道MOS管應用領(lǐng)域講解
NTD5867NLT4G (VBE1638)參數(shù)說明：N溝道，60V，45A，導通電阻24mΩ@10V，28mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓1.8V，封裝：TO252。
應用簡介：NTD5867NLT4G適用于高功率N溝道MOSFET，常見于電源開關(guān)、電機控制和逆變器等領(lǐng)域模塊。
其高電流承載能力使其在大電流需求場景中表現(xiàn)出色。
適用領(lǐng)域與模塊：適用于高功率應用，如電源開關(guān)、電機控制和逆變器等模塊。
高電流承載能力滿足大電流需求。

VBE1638.png (68.79 KB)

NTD5867NLT4G.pdf

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