国产精品免费无遮挡无码永久视频-国产高潮视频在线观看-精品久久国产字幕高潮-国产精品99精品无码视亚

電子工程網

標題: DMG1012T-VB_SC75-3封裝MOSFET產品應用與參數解析 [打印本頁]

作者: VBsemi 時間: 2023-11-10 15:29
標題: DMG1012T-VB_SC75-3封裝MOSFET產品應用與參數解析
DMG1012T（ VBTA1220N）
參數描述：
N溝道,20V,1A,RDS(ON),200mΩ@4.5V,230mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；0.6Vth(V)；SC75-3
型號參數介紹：
DMG1012T (VBTA1220N)參數說明：N溝道，20V，1A，導通電阻200mΩ@4.5V，230mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，閾值電壓0.6V，封裝：SC75-3。
應用簡介：DMG1012T適用于低功率應用，如信號開關和電流控制。
其低導通電阻和小封裝有助于降低功率損耗和節省空間。
適用領域與模塊：適用于低功率信號開關、電流控制和模擬開關等領域模塊，特別適合要求節省空間的場景。

VBTA1220N.png (65.68 KB)

DMG1012T.pdf

294.21 KB, 下載積分: 積分 -1

歡迎光臨電子工程網 (http://www.4huy16.com/)