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標(biāo)題: 適用于機(jī)器人的充電管理芯片HB6296應(yīng)用指南 [打印本頁(yè)]

作者: ht2772505037 時(shí)間: 2020-4-15 11:32
標(biāo)題: 適用于機(jī)器人的充電管理芯片HB6296應(yīng)用指南

HB6296應(yīng)用指南

一：電流檢測(cè)電阻設(shè)法靠近HB6296，檢測(cè)電阻上電壓信號(hào)很弱，為減少干擾，必須靠近HB6296，應(yīng)用圖上對(duì)應(yīng)的R17.

二：Regn上電容必須靠近HB6296，越近越好。

三：這款ic是經(jīng)典的降壓電路，電感計(jì)算公式可以參考。

四：電感計(jì)算公式：L=（Vin-Vbat）*Ton/(Imax/D)。其中D是占空比，Ton=T*D。L=(Vin-Vbat)*T。T是開關(guān)周期，Vbat取3.7*n節(jié)。HB6296的開關(guān)頻率是變的，電壓高是350K，（T=2.8us）。電壓低是1.8us。對(duì)4節(jié)鋰電，輸入電壓25V，輸出電流5A。則L=（25-14.8）*1.8us/5A=3.6uH。

五：散熱。對(duì)于低壓（小于35V），我測(cè)試的結(jié)果HB6296不需要加散熱片，P=(35V-5.4)*12ma=360mw,HB6296本身帶散熱片，外面可以不加。如果驅(qū)動(dòng)2個(gè)上管mosfet，Icc會(huì)上升到20ma，這時(shí)P=（35-5.4）*20ma=600mw，應(yīng)該考慮加散熱片。 Mosfet的散熱也要特別講究。主要要考慮上管（pwm管）。

六：mosfet選擇最好要用Ciss小的，tr，tf比較短的，mosfet。這樣mosfet發(fā)熱少，HB6296發(fā)熱也少。但是也不能太少，太少電感波形太陡，emc和emi過不去，也干擾HB6296。

七：為了emc和emi的考慮，主電流回路要越短越好，交流回路也要越短越好，特別是lx這個(gè)net上，交流通路可以用4.7uf的瓷片電容放置相關(guān)的地方，比較有效的減少交流通路的長(zhǎng)度。

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