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標題: 國際固態電路會議ISSCC：三星發表最新的10nm制程技術 [打印本頁]

作者: 亞光彩 時間: 2015-12-16 14:03
標題: 國際固態電路會議ISSCC：三星發表最新的10nm制程技術
【路之遙電子網訊】伴隨著圣誕節的來臨，2016的腳步越來越近，各大芯片廠商的最新研發成果也爭先“出爐”。 “國際固態電路會議”作為諸多成果展示會，就更加令人期待。究竟芯片巨頭都會有哪些“驚喜”帶給用戶，在這里我們就先一睹為快。

三星最新的10nm制程技術

三星將提供更多DRAM與快閃記憶體晶片細節，其中最重要的是一款采用10nm FinFET技術制程的128Mbit嵌入式SRAM。根據ISSCC主辦單位表示，該元件具有“迄今最小的SRAM位元單元，”高密度(HD)型晶片尺寸約0.040μm，而高電流(HD)晶片版本的尺寸約0.049μm。該設計支援“整合型輔助電路，可分別改善HD與HC位元單元的最小操作電壓(Vmin)至130mV與80mV。

The Linley Group微處理器分析師David Kanter表示，“相較于三星0.064μm2的14nm SRAM，10nm晶片版縮小了0.63倍，當然不盡理想；但相較于0.049μm2的英特爾(Intel)14nm SRAM，三星的記憶體單元則縮小了0.82倍，這是三星未在20nm與14nm之間微縮金屬規律的結果�！钡獽anter預計英特爾的10nm SRAM尺寸應該會更小。

海力士256Gbit/s頻寬的DRAM堆疊，

海力士(SK Hynix)將展示256Gbit/s頻寬的DRAM堆疊，“可在堆疊的邏輯層……為記憶體核心處理指令解碼與偏置產生”，而不像以往設計是在記憶體層進行。此外，它還在負載過重的3D互連上采用較小擺幅訊號傳輸，以便降低功耗驅動互連。這種高密度的記憶體晶片將有助于實現高性能運算、加速器以及小型繪圖卡。

英特爾DNA測序晶片。

英特爾與加州大學研究人員將共同發表一款經概念驗證的DNA測序晶片。這款32nm的晶片在CMOS讀取電路上整合了8,192畫素的奈米裂隙(nanogap)轉換器陣列，從而為DNA測序創造一種電化學生物感測技術，同時還能具有高訊號雜訊比(SNR)�！艾F有的DNA測序解決方案通常不是使用難以微縮的光學感應技術，就是SNR低的分子感測方式，如今這種新途徑可望為整合于電子產品應用的更小尺寸、更低成本DNA測序鋪路�！�

除以上幾大廠商之外，聯發、臺積電，以及各大研究機構都有最新成果展示，其中包括指紋辨識、視覺處理器以及更高密度記憶體等技術。因而2016 ISSCC值得期待。

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