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不同于市場(chǎng)上其他芯片尺寸封裝(WLCSP)而成的負(fù)載開(kāi)關(guān)產(chǎn)品,Silego推出的三款功能豐富的 ...

已有 1581 次閱讀2017-4-10 14:50 |個(gè)人分類:新產(chǎn)品發(fā)布| 集成電源開(kāi)關(guān), 集成系統(tǒng), 集成電路, 負(fù)載開(kāi)關(guān), silego

美國(guó)加州圣克拉拉 –2017年3月7日 – 可配置混合信號(hào)集成電路開(kāi)發(fā)商Silego公司http://www.silego.com.cn/home_cn.html (CMICs),今日推出一款性能驅(qū)動(dòng)的GFET3集成電源開(kāi)關(guān) (IPS) 系列http://www.silego.com.cn/products/greenfet3.html.其特點(diǎn)是電板小且性能高,平板計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)與健身手環(huán)市場(chǎng)中應(yīng)用極廣,三款以WLCSP封裝而成的新產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域是1A-4A的高端電源控制市場(chǎng)。

針對(duì)智慧手機(jī)與健身手環(huán)領(lǐng)域,我們選用0.64 mm2 (0.8 mm x 0.8 mm) 的SLG59M1730C (33 mΩ/1 A)http://www.silego.com/buy/index.php?main_page=product_info&products_id=673 和SLG59M1736C (33 mΩ/2.2 A)http://www.silego.com/buy/index.php?main_page=product_info&products_id=672,這兩款低漏電且自供電的pFET 集成電源開(kāi)關(guān)(IPS)工作電壓范圍在2.5V-5.5V,所需電流也非常小。此外,兩款產(chǎn)品開(kāi)/關(guān)控制閾值低,輸出電壓放電快同時(shí)啟動(dòng)時(shí)輸入電流分布可控。當(dāng)需要藍(lán)牙和其他高電流時(shí),啟動(dòng)SLG59M1730C/SLG59M1736C時(shí),16.5 mA的浪涌電流便可防止鋰電池電壓下降,小型鋰電池的特點(diǎn)是安培小時(shí)非常低。對(duì)比市場(chǎng)上其他輸出電壓上升時(shí)間固定又快速的4針型 WLCSP封裝的產(chǎn)品,直接與負(fù)荷電容值成正比的浪涌電流便相當(dāng)大了。如若合成涌流較大的話,便會(huì)引起鋰電池電壓下降,如此便需要對(duì)不可逆系統(tǒng)進(jìn)行復(fù)位。但是SLG59M1730C/SLG59M1736C可控的浪涌電流卻可避免系統(tǒng)無(wú)故復(fù)位的情況發(fā)生。


針對(duì)較高功率平板計(jì)算機(jī)的應(yīng)用,SLG59M1735C(http://www.silego.com/buy/index.php?main_page=product_info&products_id=671)是最合適不過(guò)了,10.5 mΩ/4 A nFET 集成電源開(kāi)關(guān)(IPS)具備了一整套保護(hù)功能。2.5 V -5.5 V的電壓,在FPGA,ASIC以及處理器電源測(cè)序中均可用到這種輸入電壓低至0.9V-1.0V的高電流線路。SLG59M1735C 功能設(shè)置涵蓋了:ON/OFF 控制、軟啟動(dòng)控制、低壓保護(hù)以及雙電平限流保護(hù)功能。相比Silego公司GFET3系列其他具有類似功能封裝而成的產(chǎn)品,它的封裝面積只有1.5 mm2,,足足小了一半。而對(duì)比市場(chǎng)上其他類似保護(hù)功能的4 A WLCSP/DFN 封裝的產(chǎn)品,SLG59M1735C 的封裝面積大概僅有14% 至 32%。

利用Silego專有的MOSFET設(shè)計(jì)IP,這些高度可信的集成保護(hù)設(shè)備可提供頂級(jí)nFET 與pFET 低RDSON 功能。憑借Silego專有的CuFET™技術(shù),Silego 設(shè)計(jì)工程師不僅可以巧妙的將產(chǎn)品集成于極小的WLCSP電板中,最大化系統(tǒng)級(jí)性能同時(shí)還可以在空間極小且中等強(qiáng)度電流的應(yīng)用中減少熱梯度。

Silego最新款GFET3產(chǎn)品包括:

產(chǎn)品
開(kāi)關(guān)類型
RDSON
可持續(xù)工作電流
電源電壓范圍, VDD
輸入電壓范圍, VIN
工作溫度 
TA(°C)
WLCSP
SLG59M1735C
nFET
10.5 mΩ
4 A
2.5 V – 5.5 V
0.9 V - VDD
-40 to 85
8L 1.5 mm2
SLG59M1730C*
pFET
33 mΩ
1 A
--
2.5 V – 5.5 V
-40 to 85
4L 0.64 mm2
SLG59M1736V*
pFET
33 mΩ
2.2 A
--
2.5 V – 5.5 V
-40 to 85
4L 0.64 mm2

*:  SLG59M1730C與SLG59M1736C 可從輸入電壓中自供電。 (無(wú)需獨(dú)立的電源電壓)


GFET高性能電源控制產(chǎn)品主要功能包括:

1. 低導(dǎo)通電阻,低漏電,高性能nFET 或pFET MOSFETs。

2. 系統(tǒng)級(jí)內(nèi)建電路保護(hù)功能。

· 內(nèi)控浪涌電流分布(SLG59M1730C 與 SLG59M1736C)

· 快速輸出電壓放電(SLG59M1730C與SLG59M1736C)

· 外部可調(diào)整電容輸出電壓轉(zhuǎn)換速率 (SLG59M1735C)

· 雙電平限流保護(hù) (SLG59M1735C)

新款 WLCSP 封裝的IPS目標(biāo)應(yīng)用:

· 智能手機(jī)

· 個(gè)人健身手環(huán)

· 數(shù)字相機(jī)

· 手持GPS設(shè)備

· 平板計(jì)算機(jī)

· FPGA, ASIC以及處理器電壓測(cè)序


請(qǐng)郵件至 info@silego.com Silego公司客服服務(wù)團(tuán)隊(duì)或直接登錄Silego網(wǎng)站: www.silego.com 獲取Silego公司GFET3 與 HFET1系列其他款高性能集成電源開(kāi)關(guān)的報(bào)價(jià)、樣品、數(shù)據(jù)參數(shù)以及附加技術(shù)信息。


關(guān)于Silego 公司– CMIC 可配置混合信號(hào)集成電路公司

Silego公司是一家創(chuàng)造可配置混合信號(hào)集成電路即CMIC的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司,可允許硬件工程師以范式轉(zhuǎn)換方式進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)。CMIC產(chǎn)品旨在集成模擬、數(shù)字邏輯、混合信號(hào)電源功能同時(shí)消除被動(dòng)與離散型組件。CMIC可讓OEM原廠制造商在高批量應(yīng)用中利用最大的設(shè)計(jì)靈活力以市場(chǎng)最快速的方式成本有效的傳遞其硬件產(chǎn)品。我們可擴(kuò)展的CMIC平臺(tái)由可配置集成電路、專有的設(shè)計(jì)軟件以及開(kāi)發(fā)工具包組成。我們的解決方案包括我們專有的CMIC平臺(tái)與交付模式,其中包括互動(dòng)設(shè)計(jì)支持、快速客戶原型設(shè)計(jì)以及靈活成本優(yōu)化的制造。我們的解決方案為客戶提供混合信號(hào)集成電路包括系統(tǒng)中電源、計(jì)時(shí)與接口功能。


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